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실험장치 이론 및 설계
4-2. 실험장치 사진
4-3 실험방법
5. 실험결과
5-1 나노유체의 온도변화 그래프
5-2 나노유체 체적비별 열전도도
5-3 나노입자 종류별 (Vol 1%)
5-4 나노유체의 체적비별 열전도도 증가 비교표
5-5 실험에 대한 고찰
6.
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실험집단의 유아들은 사전에 비해 사후검사에서 그림 표상의 각 항목별로 모두 현저한 향상 점수를보였으나, 비교집단의 유아들은 ‘다양한 색채’, ‘표상과 언어의 연계성’항목을 제외하고 사전-사후 점수에 거의 변화가 없었다.
B. 논의
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A. (1979). Socio - Emotional Development, In J. Osofsky(Ed.), Handbook of Infant Develoment, New York : Wiley.
Williams, L. R.(1987). Determining the curriculum, In C. Seefeldt(Ed.), the early childhood curriculum : A review of current research, New York : Teachers College Press.
Wilson, L. C.(1986)
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6> FCHEV 시뮬레이터의 기준속도와 실제속도 실험 결과
<그림Ⅲ-7> FCHEV 시뮬레이터에서 배터리 SOC 실험 결과
<그림Ⅲ-8> FCHEV 시뮬레이터의 연료전지 전류 실험 결과
식 목 차
(식 Ⅲ-1)
(식 Ⅲ-2)
(식 Ⅲ-3)
(식 Ⅲ-5)
(식
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실험하기에 앞서 석영(quartz)으로 제작된 Reactor가 반응에 참여하여 발생될 오차를 확인하기 위하여 blank test를 수행하였다. 실험조건은 촉매를 충진시켰을 때와 동일하게 하였으며, 벤젠의 농도는 2,000ppm, 반응온도는 200～600℃의 범위로 하여
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ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이용한 ReRAM 특성 구현
2. 실험 방법
1-1. R.F Magnetron Reactive Sputtering Deposition
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
3. 실험 결과 및 분석
III. 결 론
IV. 참고문헌
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전자 공학과,
IDEC News Letter Octorber, vol.23, no. 5, p.16 ~ p.17 2003.
<6> 최 평 Pspice 기초와 활용 - 북두 출판사 2000 p.477 ~ p.479 VCO .
<7> 윤 정 배, “두 개의 DLL을 이용한 pulse shrinking delay line 제어회로”, 인하대 대학원 (2004) 석사 논문 , 국회도서
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실험 결과 및 고찰
Ⅲ. 실리콘 주형의 제작과 분광기의 제작
1. 반응성 이온 식각 공정(RIE;Reactiva Ion Etching Process)
2. UV 몰딩(UV-molding) 공정을 이용한 분광기의 제작
3. 분광기(Spectroscopic component)의 특성 고찰
Ⅳ. 결 론
Ⅴ. 참고 문헌
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6
2.2.2.1 컨트롤러 Delay 함수 36
2.2.2.2 컨트롤러 Main 37
2.2.2.3 컨트롤러 UART Main 39
2.2.2.4 컨트롤러 UART 함수 40
2.3 실험 및 결과 40
2.3.1 하드웨어 동작 결과 36
2.3.2 하드웨어 제작 결과 36
제 3
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실험은 전자가 p-type 구역으로 흘러 들어간다는 사실을 입증하긴 했으나 그 전자들이 어디서 오는지는 말해주지 못한다. 그리고 전자 누출에 관한 슈베르트의 이론이 그 결과를 설명해 줄 수 있기는 하지만 다른 식으로 설명해낼 수 있는 여지
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