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비휘발성 메모리 소자의 제작 및 특성 연구” 한규일(경희대학교 대학원 석사학위 논문)
- “낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법에 대한 특허 조사”
성균관대학교 정보통신 소자 연구실
- www.wips.co.kr 특허검색
- 삼성전자 반도체 홈페이지
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메모리셀을 구성하는 소자 수를 절반으로 줄여 DRAM과 동등한 크기로 축소시킬 계획이며 이에 필요한 TMR의 Magnetic Ratio(MR비)를 40%까지 향상시키는 기술확보가 가능한 것으로 예측하고 있음
- B회사는 MR비가 35%인 TMR소자를 사용한 셀구조를 실현
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1.강유전체 메모리(FRAM)란?
Ferroelectric Random Access Memory의 약자로서, 기존의 DRAM과 거의 똑같은 구조와 동작원리를 가진 기억소자.
강유전체 (Ferroelectrics) 라는 재료를 캐퍼시터 재료로 사용하여 전원이 없이도 Data를 유지할 수 있는 비휘발성 메
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Memory Workshop 2003)한 바 있다. 또한,과기분 21C 프론티어 사업의 일환으로 수행된 본 Feasibility 연구의 결과로 비휘발성 상변화 메모리 재료특성평가 방법( KIST,국내특허 file no.03-7541) 되는 성과가 있었다.
비휘발성 상변화 메모리 기술의 개발역사
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메모리 기술 조사연구보고서, JEITA 보고서, 2003.
[3] 진화하는 비휘발성 메모리, MRAM, FeRAM, OUM의 해설 Nikkei Electronics, 2002, 12.27 I. 서 론
II. 본론
1. 기존의 상용화 메모리 기술
2. MRAM 기술
(1) 기본적인 구조 및 동작원리
(2) 최근의 기술
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ReRAM은 간단한 구조, 나노 크기 소자제작, 단순한 공정 등의 장점이 있으므로 비휘발성 메모리 분야의 새로운 강자로 떠오를 가능성이 크다고 할 수 있다.
Ⅳ. 참고문헌
Chen, Y. et al., "An Access-Transistor-Free(0T/1R) Non-volatile Resistance Random Access Memory(
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MEMORY 영역을 자유롭게 READ/WRITE 할 수 있다. 1. 서론 -----------------
1.1. 동기 및 개요 -----------------
1.2. 목적 -----------------
1.3. 새로운 시스템 -----------------
2. 본론 -----------------
2.1 기본 원리 및 구성 -----------------
2.2 AVR의 특성 ---------------
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메모리 소자의 필요성이 더욱 강조되고 있습니다. 이러한 시대의 흐름 속에서 DB하이텍의 ReRAM Cell 및 공정개발 분야에 매력을 느끼게 되었습니다. ReRAM은 비휘발성 정체를 유지하면서도 빠른 속도와 높은 집적도를 제공할 수 있는 가능성을 지
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ReRAM 기술의 혁신을 선도하고자 합니다. 이러한 목표와 계획을 충실히 수행하여, 차세대 비휘발성 기억장치 시장에서 경쟁력을 갖추고, 국민 생활의 편익을 증진하는데 기여할 수 있다고 확신합니다. DB하이텍 ReRAM Cell 및 공정개발 자기소
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비휘발성 메모리 기술로, 데이터 저장 및 처리를 혁신적으로 변화시킬 수 있는 잠재력을 지니고 있다. 이 기술은 다양한 애플리케이션에서 활용되며, 소비자에게 더 나은 경험을 제공할 수 있는 기회를 제공한다. DB하이텍은 반도체 업계에서
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ReRAM Cell 및 공정개발 분야에 지원하게 된 이유는 반도체 기술의 혁신과 최전선에서 일하고 싶기 때문입니다. 반도체는 현대 사회의 거의 모든 기술적 진보의 기반이 되며, 그 중에서도 ReRAM은 차세대 메모리 기술로 주목받고 있습니다. 기존의
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비휘발성 메모리는 이러한 트렌드에 핵심적인 역할을 하고 있다고 생각합니다. eNVM 기술은 고속의 연산과 대량의 데이터 처리가 가능하기 때문에, 다양한 산업에 적용될 수 있는 무궁무진한 가능성을 지니고 있습니다. DB하이텍은 이 분야에
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