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일반물리실험 북스힐, 김영식 외12명 공저, 3-139~141 1. 실험 목적 2.실험 원리 반도체란 무엇인가 반도체의 특성 반도체의 기능 반도체의 기능별 용도 반도체 정류회로 3. 응용방법 4. 실험 방법
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  • 등록일 2006.10.01
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A:Q) = D 위의 회로와 그래프는 피스파이스로 회로를 구성해 시뮬레이션 한 결과이다. 결과를 보면 클럭의 주기가 0.1로 주고 시뮬레이션을 했다. 그래프를 보면 출력 A, B, C, D의 주기는 0.5 이다. 주기는 클럭에 따라 변하므로 실험 4의 주기는 클
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  • 등록일 2011.09.29
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회로 유도 결과는 표1과 같다. 1. 실험목적 2. 이론 3. 실험방법 4. 실험결과 5. 결론 및 논의 6. 참조문헌 * 그림 목차 * 그림 1 PASCO EM-8586의 구조 2 그림 2 연결 방법 2 그림 3 코일의 저항 구하기 3 그림 4 코일에 걸리는 전압
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  • 등록일 2009.10.11
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실험 회로도에서의 출력 파형은 삼각파의 형태를 띄게 될 것이며, 위의 실험 결과에서 보듯이 출력파형은 시정수의 영향을 받아 약간의 모양의 일그러짐이 있지만 삼각파 형태의 출력전압을 얻을 수 있었다. 이것은 역시 오실로스코프로도
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  • 등록일 2007.11.27
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전하량의 2~5배까지 나왔다. 1.60의 정수배에 해당하므로 전하의 기본 전하량은 전자의 전하량과 같고, 이 값은 라고 할 수 있다. 1.실험 제목 2.실험 날짜 3.실험 목적 4.실험 장치 및 부품 5.실험 방법 6.실험 결과 7.결과 고찰
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압은 순간적으로 변할 수 없지만, 전류는 순간적으로 변할 수 있다. 이것은 커패시터 회로가 순간적으로는 ( 단락 ) 회로로 동작함을 의미한다. [예비 Report] -2 pages 1. 실험 목적 2. 실험 기구 3. 배경 이론 [결과 Report]- 3 pages 1. 실험 증명
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낮춰야한다. 8. 참고문헌 1) 물리화학실험 대한화학화 청문각 2004 2) 물리화학실험 최재시외 2면 형설출판 1998 1. 실험제목 2. 실험목적 3. 실험원리 및 이론 4. 실험기구 5. 실험방법 6. 실험결과 7. 토의 및 고찰 8. 참고문헌
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실험 목적 2. 실험 순서 3. 실험에 사용된 원리 정리 1) 저역 통과 필터 (low pass filter) 2) 고역 통과 필터 (high pass filter) 3) RL회로의 고역/저역 통과 필터 4) 시정수 4. 실험 결과 1) 직렬 병렬 커패시터와 시정수 구하기 2) 인덕터
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회로 분석에서 보다 쉽게 중첩 정리를 적용 할 수 있도록 해야겠다. < 목 적 > < Part 1 Superposition Theorem(Applied to Current Levels) > < Part 2 Superposition Theorem(Applied to Voltage Levels) > < Part 3 A Third Configuration > < EXERCISES > < 실험에 대한 고찰 >
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  • 등록일 2011.06.09
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회로를 꾸미고 저항 R1, R2를 측정한다. ② Part1의 VT를 이용하여 이론상의 VO, VR3를 계산한다. ③ VO, VR3를 측정하고 ②와 비교한다. VO를 측정할 때에는 낮은 전압하에서 측정한다. 1. 실험목적 2. 관련지식 1) 키르히호프의 제1법칙 2) 키르
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