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실험전 예비레포트를 홀로 작성해보고 또 그것에 대한 이론공부도 적당히 해야한다는 것을 절실하게 느겼다. 또 RL회로 주파수응답 실험에서 이론치와 측정치의 값이 너무도 크게 벌어져 한참을 헤매다가 우연히 파형발생기의 전압원 DC OFFSET
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전자 부품들이 이 장에서 공부한 드모르간의 정리와 부울 대수, 그리고 카르노 맵을 통한 간략화를 통해 이루어져 있다는 것을 알게 되었다. 뭐든 기초가 중요하다는 것을 다시 한 번 깨달았고 한 단원씩 해 갈수록 점점 더 흥미가 느껴진다.
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실험 (2) <그림 20.3 (a)>
Vg: 붉은색 VR: 초록색
실험 (3) <그림 20. 4 (a)>
Vg: 붉은색 VR: 초록색
실험 (3) <그림 20. 4 (a)>
Vg: 붉은색 VR: 초록색
실험 (4) <그림 20. 5 (a)>
Vg: 붉은색 VR: 초록색 목 적
⑴ 회로의 주파수 응답
⑵ 저역통과
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결과, 실험 (2)와 실험 (3) 모두 위상차 값은 90이고, 역률은 0이 되는 것을 확인할 수 있었습니다.
실험에서 무시할 수 있을 정도의 작은 오차가 발생했는데, 이 오차의 원인은 회로의 임피던스가 증가하고, Z에서 소모되는 전력이 증가하게 되었
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점 증가시켜 출력전압이 약 3.5V일 때의 주파수를 측정하여 그 주파수가 3dB인 것을 확인하였습니다. 첫 번째 실험으로 크기와 위상이 감소하는 것을 확인할 수 있었습니다. 또한 인덕터의 값이 변하면 회로에 영향을 미쳐 결과값도 변하는 것
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압 보호”로 사용될 수 있다. 전지가 반대로 삽입되거나 직류 전압이 반대로 연결되어도 내부회로를 보호하고 정상적인 전원을 공급하는 일반적인 기능을 가능하게 한다.
브리지 정류회로 회로도
시뮬레이션 결과 값
[확대]
결과분석 및 내용
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80[mA], I3=-220[mA]. 1. 실험진행
A. 키르히호프 전류법칙
B. 키르히호프 전압 법칙
B-a. 단일 전압원을 가지는 경우
B-b. 다중 전압원을 가지는 경우
2. 오차의 원인
a. 이상적인 회로 구현의 어려움
b. 저항기의 오차
c. 공급되는
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압이 Vcc의 10%와 90%가 되는 시점을 기준으로 하고 프린트 아웃해서 실험에 참고한 자료의 그림을 보면 더 쉽게 이해가 가능하다.
Transition Time과 Prepagation Delay가 생기는 이유는 다음과 같다.
CMOS를 리모델링 하면 회로에 capacitor들이 구성되어있
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회로를 결선한 실험에서 노튼 등가회로의 저항이 부하저항보다 훨씬 커서 부하저항이 변해도 회로에 흐르는 전류의 차이가 거의 없었다. 그리고 등가회로의 저항이 부하저항보다 20배 이상 크므로 정전류원으로 볼 수 있다.
4. 참고문헌
전자
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8§ion=kin&rank=3&search_sort=0&spq=0&pid=gMVp3B331yGssvypSvdssv--173947&sid=TOsp3lP36kwAADypRSM
(아날로그 전압계 전류계에 대한 아주 자세한 설명.)
3.전기회로 교재(Essestials of electrical and computer engineering)
(키르니호프 법칙) ① 측정값
② 실험 결과
③ 질
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