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압인 값을 대입하여 를 결정할 수 있다.
6. 각 저항과 가장 비슷한 표준 저항값을 설정하여 회로를 만들 수 있다.
7. 전압 분배 바이어스 회로에서 게이트 전압()은 핀치오프 전압()의 절대값과 같다.
8. 다른 조와 JFET을 바꿔 실험한 후 결과를
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압분배기 바이어스 순으로 안정도가 높아짐
Ve=1/10Vcc~1/4Vcc의 값을 가지며 이에 따라 출력 전류가 달라지므로 이 값은 전체적인 회로의 값에 영향을 미침 01. 실험 목적
02. 실험 장비
03. 이론 개요
04. 실험 과정
05. 실험 결과
06. 토
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회로를 수정하면 가변저항이 최소화 되어있을 때 강한 전류가 흐르게 되어 과부화가 될 수 있는 것을 알게 되었다.
-에 역방향 바이어스를 인가하여야 제대로 측정이 된다. < JFET 특성 >
1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론개요
4. 실험순서
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장비사진]
(http://www.conrad.com/ce/en/product/123113/VOLTCRAFT-8202-Function-Generator-Frequency-Generator)
[멀티미터 장비사진]
(http://programatory.com.pl/sklep/index.php?p292,multimetr-mxd-4660a-metex)
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of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
[전기 전자 통신공학도를 위한 기초회로실험]
강경인 저ㅣ문은당
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회로의 schematic 및 VB, VE, IE, IC, VC, IB 를 확인하고 해당 표에 포함하여 시뮬레이션 결과의 적절성을 보여라.
※ Transistor : Q2N3904
1. 고정바이어스 회로
그림 3-1
Q2N3904
VB
VE
VC
VCE
IE(mA)
IC(mA)
IB(μA)
β
결과값
694
mV
0V
11.11V
11.11
-3.31
3.29
19.31
170
.38
2. 고
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차이를 보일 수 있음)
그림 4-4
Schematic
Vo
Reference
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
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회로
PSpice를 통해 주어진 회로를 구성하여 시간 영역(과도)해석을 수행하라. 또한, 회로의 Schematic과 차동모드(Differential-mode)와 동상모드(Comnon-mode)에서 각각 입력-출력전압들(vi+, vi-, vo1, vo2)의 파형을 해당 표에 포함하여 시뮬레이션 결과의 적
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급격히 변해도 항복전압은 거의 일정하게 되는데 이 부분이 제너 다이오드 동작의 핵심부분입니다.
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이 그래프는 제너 다이오드의 전압 전류 특성곡선입니다. 정전압 회로
1.1 기본회로
1.2 동작원리
1.3 설계
1.4 실험
1.5 시뮬레이션
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압 및 전류의 측정
3. 옴의 법칙과 저항의 직렬/병렬회로
4. 키르히호프의 법칙
5. 오실로스코프의 사용법
6. 캐패시터의 특성 및 RC 직렬회로
7. 파형의 미분과 적분
8. 인덕터의 특성
9. 인덕터의 직/병렬연결 및 RL직렬회로
10. R
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