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도를 가진 박막을 만들기 위해 스퍼터링은 Al과 그 밖의 금속을 증착하는 주요한 경제적 수단이 되었다.
화학기상증착법
화학기상증착법에서는 하나 혹은 그 이상의 기체종류들로부터 박막을 증착한다. 화합물이 박막형성을 위해 분해되기도
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도
하나의 쿼크와 반쿼크로됨
세 개의 쿼크
종류
,,
,
작용
강한 상호작용( ex,입자 매개)
약한 상호작용( ex,입자 매개)
제 9장 반도체 물리학
① 3 극 진공관 : 증폭, 발진(LC 진동) , 검파작용, 변조작용(AM,FM)
진공관의 plate 는 트랜지스터의 콜랙
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분말 형태로 섞어 고온에서 압축 소결한 자성 세라믹 재료
형상기억합금
ㆍ항복점은 넘어 소성변형된 재료에 적당한 온도를 가하면 변형전의 상태로 되돌아 오는 것.
ㆍ고온에서 체심입방격자, 냉각하면 마텐자이트 조직으로 변한다.
ㆍ마텐
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분말 형태로 섞어 고온에서 압축 소결한 자성 세라믹 재료
형상기억합금
ㆍ항복점은 넘어 소성변형된 재료에 적당한 온도를 가하면 변형전의 상태로 되돌아 오는 것.
ㆍ고온에서 체심입방격자, 냉각하면 마텐자이트 조직으로 변한다.
ㆍ마텐
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도 재령 4일까지는 직접 해수에 접하지 않도록 한다.
진공 콘크리트
(vacuum concrete)
도로 등의 콘크리트바닥 등에 콘크리트를 부어넣은 직후, 그 표면에 물을 빨아들이는 매트를 깔고 펌프로 물을 받아들여서, 콘크리트의 초기가수량을 줄여 콘
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응용분야
- 경제 -
<탄탈륨의 특성>
1. 물리 화학적 특성
2. 부존특성
3. 산출정보
<탄탈륨의 제조법>
1. 탄탈륨및 니오븀 산화물 제조 공정
2. 탄탈륨 금속 제조 공정
<탄탈륨 Capacitor>
1. Capacitor
2. 탄탈륨 Capacitor
3. 포 장(packing)
4.
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장치에 대한 직접 접근이 가능해짐. (3) 제3세대 컴퓨터 트랜지스터를 대체한 집적회로의 등장. (4) 제4세대 컴퓨터 ① 여러 개의 집적회로를 하나의 패키지에 집적한 대규모집적회로의 사용. ② 이후 반도체 기술의 발달로 초대규모집적회로가
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장치에 대한 직접 접근이 가능해짐.
(3) 제3세대 컴퓨터
트랜지스터를 대체한 집적회로의 등장.
(4) 제4세대 컴퓨터
① 여러 개의 집적회로를 하나의 패키지에 집적한 대규모집적회로의 사용.
② 이후 반도체 기술의 발달로 초대규모집적회로
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장치에 대한 직접 접근이 가능해짐.
(3) 제3세대 컴퓨터
트랜지스터를 대체한 집적회로의 등장.
(4) 제4세대 컴퓨터
① 여러 개의 집적회로를 하나의 패키지에 집적한 대규모집적회로의 사용.
② 이후 반도체 기술의 발달로 초대규모집적회로
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장치에 대한 직접 접근이 가능해짐.
(3) 제3세대 컴퓨터
트랜지스터를 대체한 집적회로의 등장.
(4) 제4세대 컴퓨터
① 여러 개의 집적회로를 하나의 패키지에 집적한 대규모집적회로의 사용.
② 이후 반도체 기술의 발달로 초대규모집적회로
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