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실험 내용 및 방법
이번 실험의 목적은 휘트스톤 브리지의 평형상태를 이용해서 미지 저항의 값을 측정하고 이에 대하여
이해하는 것이다. 휘트스톤 브리지는 회로의 평형상태를 이용해서 정밀한 저항 측정을 위한 계측 방법
에 이용되는
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브리지 위상 편이 실험을 위하여 회로를 그대로 두어라.
[실험2 : 브리지 위상 편이 회로 실험]
(6)오실로스코프의 접지를 C노드에서 차단하여 D노드에 연결하라. 오실로스코프의 입력 단자를 B노드에서 차단하여 A노드에 연결하라. 지금 오실
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브리지를 통해서 얻은 저항값은 바로 위에서 말한 잔류저항의 영향과 실험기기의
자체적인 부정확성으로 인해서 저항값이 멀티 테스터를 통해 얻은 저항값 보다 정화하지
않다고 본다. 이렇게 보고 색저항을 읽은 값과 휘스톤 브리지에서 얻
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실험실내의 온도 등 저항에 미치는 오차의 원인들이 작용하여 전류값이 0일때의 정확한 가변저항값을 측정하기란 매우 어려웠다. 이러한 이유로 오차가 발생 하기는 했지만 브리지 회로를 통한 측정값의 오차 정도는 저항 판독값의 오차 범
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(1㏀, 1/4W) 1개, 다이오드(1N914) 2개, 다이오드 (1N5625) 4개, 멀티미터 1개, 스위치 3개
2.4 실험핵심
①반파 정류기와 전파 정류기의 차이점을 비교
②센터 탭이 있는 변압기를 사용하는 정류기와 브리지형 정류기의 동작 방법의 차이점을 비교
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그 오차를 무시할 정도가 되어 이론을 설명하는 데에는 별 영향을 끼치지 못한다. 5.1 직,병렬 저항회로
5.2 병렬 연결 등가 저항 실험
5.3 직·병렬 연결 등가 저항 실험
5.4 전압 분배기 실험
6.1 휘트스톤 브리지에 의한 저항 측정
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장치가 있다. 선실에서 방향타를 돌리면 그와 비례해서 키를 돌려준다. 그밖에도 마이크로 전자회로에서 저항 대신에 다이오드를 이용한 스위치에도 쓰인다. 1. 목적
2. 원리
3. 기구 및 장치
4. 실험방법
5. 실험결과
6. 결과 및 토의
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평형(같아짐)이 되었다 한다.
각 저항의 전압강하는 저항의 크기에 비례한다. 저항의 전압강하는 저항에 비례하여 발생하므로 저항의 비례는 전압의 비례가 되므로 이를 이용하여 미지의 저항을 구할 수 있다.
<고찰>
다른 조에서 실험하
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브리지 회로의 평형조건으로 미지의 저항 X를 계산하고, 위의 실험 결과와 비교 검토 하여라.
미지의 저항 X의 이론값은 각각 10Ω, 50Ω, 100Ω으로 계산된다. 약간의 오차가 있지만 실험값과 거의 일치함을 확인할 수 있다. 1. 목적
2. 이론
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의한 특성곡선 추출
- AC측정법에 의한 특성곡선 추출
5. Si 와 Ge 다이오드 특성
- 실리콘 다이오드
- 게르마늄 다이오드
6. 다이오드 브리지
- 대전력 다이오드브리지
- 다이오드 브리지
<첨부> 다이오드에 관한 간단한 문제&풀이
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