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회로에서 Vdc를 구할 때는 두 개의 Si 다이오드를 통과 하므로 2VT를 빼야 하는데 처음에 하나의 다이오드의 값만 빼서 실험 결과값이 크게 달라졌었다.
10) 트랜스포머의 2차 전압을 설정하기 위해서는 DMM으로 확인하며 함수 발생기로 1차 전압
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.
%△ =
%△ =
%△ =
7. 의 % 변화를 계산하라.
%△ =
이론
5. 트랜지스터의 에 대한 % 변화를 계산하라. 이후 모든 계산에서 실험 책에서 주어진 공식을 이용하라.
%△ =
6. 베이스, 컬렉터, 이미터 전류의 % 변화를 계산하라.
%△ =
%△ =
%△ =
7.
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회로에 대해 포화전류 를 계산하라.
(계산값) = 8.06㎃
c. 연습문제 1(a)와 (b)의 포화전류는 트랜지스터의 β에 민감하게 변화하는가?
포화전류 무관하다.
2. 이 실험에서 살펴본 두 회로에서 2N3904 트랜지스터를 2N4401 트랜지스터로 교체할 때 동작
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회로 내부에서 발생하는 저항에서 발생한 것이다.
6 ) 문턱전압
이론 개요에서 정의한 것처럼 각 다이오드의 점화 전위(문턱 전압)를 특성곡선 그림으로부터 결정하라. 그림2-5에 근사화한 직선을 보여라.
(Si) = 0.63V
(Ge) = 0.3V
실험결과
1. 역방향
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전압 신호의 주기를 알려면 수평감도 와 수평칸수를 곱하여주거나 고등학교 때 배웠던 공식인 주기는 진동수 분의 1이라는 공식을 사용하여도 됩니다. 0. 실험 목적
실험 이론
실험 내용 및 결과
토의 및 고찰
질의 응답
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레벨을 0에서 20dB 까지 조절한다.
출처
https://ko.wikipedia.org/wiki/%EC%98%A4%EC%8B%A4%EB%A1%9C%EC%8A%A4%EC%BD%94%ED%94%84
https://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%95%A8%EC%88%98_%EB%B0%9C%EC%83%9D%EA%B8%B0
https://blog.naver.com/yd5334/130087019393 제목
실험 목적
실험 장비
이론
출처
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접합
https://ko.wikipedia.org/wiki/PN_%EC%A0%91%ED%95%A9
저항
https://ko.wikipedia.org/wiki/%EC%A0%84%EA%B8%B0%EC%A0%80%ED%95%AD
http://codingrun.com/65
브레드보드
http://codingrun.com/67?category=678395 제목
실험 목적
실험 장비
이론
출처
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제목
실험 목적
실험 장비
이론
출처
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크기로 슬라이스하게 된다(이것을 출력 포화되었다고 한다). 1. 목적
2. 이론
3. 예비레포트
- Op-Amp 란?
- 반전 증폭기 & 비반전 증폭기
- Function Generator의 기능 및 사용법
4. 결과레포트
- 실험 및 실험방법(직접실험사진첨부)
- 고찰
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0
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1
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0
1001
1
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X
1011
X
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X
1101
X
1110
X
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X
BA
DC
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0
1
0
01
0
0
0
1
11
X
X
X
X
10
0
1
X
X
그림 8-6 3으로 나누어 떨어지는 BCD수에 대한 Karnaugh맵
맵으로부터 읽은 최소 SOP : X=AD+ABC+ABC
AD
ABC
ABC
회로도
표 8-5의 실험결과
3 = 00
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