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증폭 회로의 특성 트랜지스터 특성의 전 범위에서 증폭이 이루어지므로 이상적인 최대 출력이 되는데 B급 푸시풀 전력 증폭기에서 최대 출력의 전원 효율은 78.5[%]로 되고 크로스오버 일그러짐이 나타나는데 출력파형의 일그러짐 원인은 트랜
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회로에서 입력 및 출력 임피던스가 다음과 같이 됨을 알 수 있다.
R_i = {R_B R_BE,Q}over { R_B + R_BE,Q }
R_o = R_L
여기서 RB는 식
R_B ={ R_B1 R_B2 } over {R_B1 + R_B2}~~~(병렬 연결)
)을 만족한다.
<그림 6-7 에미터 공통 증폭회로의
교류분석에 대한 등가회로>
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증폭기로 작동하지 않습니다. 그러나 증폭도가 무한대에 가깝다는 것이 큰메리트이며 이것은 부궤환을 걸어주면 실용적인 증폭기로 합니다
b. 반전 증폭회로
반전 증폭회로는 기본적인 부궤환 회로를 실현한 회로이며 아래 그림과 같
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증폭기의 이론에서의 이득은 1+ Rb/Ra 이다. 반전, 비반전 증폭기의 측정값은 이론에서의 이득에 비슷한 값이 나왔다. 하지만 오차가 생겼다. 이 오차들이 생긴 이유는 OFF SET 전압이라는 현상 때문인데
증폭 회로를 구성한 다음 입력=0을 넣어주
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회로에 쉽게 적용할 수 있다. 물론 이 변화는 극히 적은 값이지만 OP 앰프가 증폭기로도 동작 하므로 염려 할 필요는 없다. 오히려 더미스터 보다 더 정밀한 센서로 동작한다. 단, 극성에 주위를 하여야 한다. 이 회로는 온도센서기능 외에도 빛
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증폭회로 구성
Function Generator의 전압 : 20mV
Channel B의 전압 : 42.85mV
전압 이득 : 2.14
3. 실험에 대한 고찰
이번 실험은 JFET의 특성에 관한 실험이었다. JFET을 사용해 증폭기 응용회로를 만들 수 있었다. 증폭 회로는 JFET의 Gate에 순 바이어스를 걸어
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회로에 전류가 흐른다.
결과
○ 실험에 쓰여진 분압기 와 op-amp
R1
Vin
Vout
R2
Vin = Vout
분압기(입력전압)
8
7
6
5
-
+
○
1
2
3
4
IC회로(op-amp)
(1) inverting (반전증폭기)
RR
RF
+
-
Vout
+
-
1-1) AC ; inverting
Vin
RR
RF
Vout
계산값
1.2㎷
1 ㏀
2 ㏀
2.4㎷
측정값
1.2㎷
〃
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증폭기의 포화 동작영역 실험
(1) 그림 3-9의 트랜지스터 이미터 공통회로를 이용하여라.
(2) 컬렉터와 이미터 사이의 전압 V(CE) 전압을 측정할 수 있도록 디지털 멀티미터를 연결하고, 10kΩ 가변저항 R(i)를 조정하여 V(CE) 전압이 0.2V가 되도록 조
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증폭 회로 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
조건 ) Start Freq :1kHz , End : 2000kHz , Points : 10001
시뮬레이션 결과 )
# log scale로 변환하지 않은 값
# x 축 log scale로 변환한 값
시뮬레이션 . 고주파 증폭 회로 실험 시뮬레이션 결과
회로도 )
조건 ) R8 :
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단위이득(1)과 비교하라. 다시 말해 회로의 전압이득이 정말로 1인가?
4. 가산 증폭기(Summing amplifier)
a. 입력이 V1=V2=1V(실효전압)일 때 그림 29-10의 회로에 대한 출력전압을 계산하라.(그림 29-4를 보라.)
Vo(계산값)=6V
b. 그림 29-10의 회로를 구성하고
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