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그래핀의 개발은 아직 초기단계에 머무르고 있는 실정이라 모서리 부분의 확실한 제어는 불가능한 상태이다. 게다가 그래핀을 생산하는데 있어서도 대량생산을 할 수 있는 기술이 없다. 앞에서 언급했던 공정방식으로는 대량생산이 힘들다.
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gate oxide
이렇게 축소를 한없이 할 수 있겠는가 라는 의문이 나온다. 여기에는 몇 가지 한계가 있는바 우선 gate oxide 두께는 20 Å 이하가 되면 carrier가 직접 tunneling되어 capaticive coupling이 깨지게 된다. S/D 영역과 gate가 hotelectron Limits of a Si-tra
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그래핀이라고 한다. 이 한겹의 탄소층은 흑연을 이루고 있는 기본 단위이기 때문에 새로이 발견된 탄소동소체라 할 수는 없지만, 흑연에서 떨어져 나온 그래핀은 흑연과는 전혀다른 성질을 가진다는 점에서 신소재라 할 수 있겠다. What is
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을 조절하게 된다.
재료 및 제조 공정의 발전과 새로운 구조의 제조 및 검사가 계속될 것이라고 연구진은 기대하고 있다. 장거리 경기에서 겨우 첫 발을 내디딘 것과 같다고 그는 말했다. 그래핀에 기초한 새로운 전자소자의 구축은 매우 어
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폭은 재료의 밴드갭을 조절하게 된다.
재료 및 제조 공정의 발전과 새로운 구조의 제조 및 검사가 계속될 것이라고 연구진은 기대하고 있다. 장거리 경기에서 겨우 첫 발을 내디딘 것과 같다고 그는 말했다. 그래핀에 기초한 새로운 전자소자
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