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회로의 트랜지스터에서 β가 증가한다면 VB는?
(a) 감소한다. (b) 증가한다.
(c) 근본적으로는 그대로 유지된다.
⇒ VB=Vcc×R2/(R1+R2)에서 VB값은 전혀 β의 영향을 안 받는 것을 알 수 있다 그러므로 트랜지스터의 β의 감소나 증가로 인해서 VB값은 영
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이었고, 첫 번째 실험보다는 작은 대역폭을 확인 할 수 있었다.
3. Discussion
이번 실험을 통해 음성증폭기의 특성을 파악할 수 있었다. 이론상으로는 부귀환이 있는 경우가 없는 경우에
비해 대역폭이 넓어지고 이득이 감소한다는 것을 알고
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회로이다.
※ DC 해석
① : 입력전류 이므로 저항에 전압이 0이 된다.
관계식에서 저항 양단의 전압 이다.
② : : 증가형 EMOSFET의 경우
③ : 출력측에 전압 방정식 에서 를 구한다.
3. 토의
이번 실험에서는 신호를 입력시키기 전에 직류 DC를 가지
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실험 1. 다이오드 특성 및 반파 정류회로 실험
1. 실험 목적
반도체 다이오드의 특성을 실험적으로 구하고 다이오드 응용 회로인 반파정류회로의 동작 원리 및 출력 파형을 관찰하고 측정한다.
2. 실험 원리
① 다이오드 전압-전류 특성
다이오
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회로이고 게이트 바이어스보다는 안정하다 하지만 전압 분배기 바이어스 처럼 안정하지는 않다.
전압분배 바이어스 -Q점이 가장안전하고 회로는 복잡하다 1.제목
2.목적
3.기본이론
4.실험방법
(1)사용 기계
(2)사용 부품
5.결
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회로가 불필요하 며, 위상관계는 역상이다.
3. 토의
이번 실험은 전체적으로 공통 드레인, 공통 게이트 증폭기의 동작과 전압이득을 살펴보는 실험을 하였다. 공통 드레인 증폭기에서 가장 먼저 위상차가 없이 파형이 진행되는 특성을 관찰할
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실험 1 : DMM을 이용한 소자 값 측정
소자
규격
측정 값
저항
1k
1.003k
2k
1.9576k
3.7k
3.857k
7.5k
7.52k
10k
9.96k
10k
10.008k
10k
9.982k
10k
9.987k
4k과 8k 저항이 없어 3.7k과 7.5k으로 대체하였다.
■ 실험 2 : ELVIS II를 이용해서 연산증폭기의 A/D 변환기 회로 측정
1)
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실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
■ 모의실험회로 1 : BJT B급 전력증폭기 시뮬레이션
이론(계산)값
시뮬레이션 값
12V
12V
0A
0A
-12V
-12V
1.7uA
1.776uA
■ 모의실험회로 2 : BJT B급 전력증폭기 파형측정
전압이득(시뮬레이션)
전압이득(이론
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실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
■ 모의실험회로 1 : 2단 증폭기 회로
이론 값
시뮬레이션 값
28uA
28.422uA
5.1 V
5.146V
4.65 mA
4.654mA
28 uA
28.422uA
5.1 V
5.146V
4.65 mA
4.654mA
■ 모의실험회로 1-2 : 2단 증폭기 회로
이론 값
시뮬레이션 값
28uA
28.422
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론
시뮬
측정
12V
12V
12.757V
0A
0A
0.00005A
-12V
-12V
-11.307V
1.7uA
1.776uA
0.00005A
■ 실험회로 2 : BJT AB급 전력증폭기 회로
- 실험 결과 그래프 및 표 :
이론 값
시뮬레이션
측정 값
3.1mV
3.118mV
6.845mV
526.4mV
526.862mV
0.5622V
-520.8mV
-526.862mV
-0.5623V
845.0uA
845.846uA
0.00
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