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실험 중 이 전압이 유지 되도록 하라. 표 20.1의 각 주파수에 대한 저항 양단의 전압 VR를 측정하여 표 20.1의 무커패시턴스 난에 기록하라. 측정을 마친 후 신호 발생기의 전원을 차단하라.
5. 참고자료
- 기초전기전자공학실험 (대한전자공학회,
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측정한 후 표 14.4와 같은 순서로 합성 커패시턴스 를 구하라.
다음은 세 개의 커패시터를 병렬연결하여 위치시킨 후 위의 과정을 반복하라.
5. 참고자료
- 기초전기전자공학실험 (교학사, 대한전자공학회, 199-220페이지)
- 회로해석 ( 임제탁 김
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저항과 같은저항값을 갖게 된다.전원을 끄고 회로에서 가변저항을 분리한다. 이제 가변저항을 저항계로 측정한다.
이 응용문제에 대해서 다음 과정을 수행하여라.
앞에서 설명한 최대 눈금편향 방법을 사용하여 이 실험에서 사용한 10㎃ 전
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회로를 구성할 땐, 복잡한 계산이 필요하며 이것이 쉽지 않다는 것을 알 수 있다. 결과값과 결론이 이론과 같게 나온 실험이었다.
6. 참고
<김상배 저, 개정판 기초전기전자실험, 홍릉과학출판사> 1. 실험의 목표
2. 기본이론
3. 사용
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것을 알게 되었다.
6. 참고문헌 및 자료
<김상배 저, 개정판 기초전기전자실험, 홍릉과학출판사>
<http://blue.snut.ac.kr/~hldo> 1. 실험목표
2. 기본이론
3. 사용기기와 부품
4. 실험내용과 방법
5. 데이터 분석 및 결과
6. 참고
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실험장비에 대한 사용법이 서툴러 정확한 이해를하고 행한 실험이 아니어서, 장비를 다루는데 버튼
하나로 ×10 배, 100까지도 증폭되어 화면상으로 나타날수있다.
8.느낀점
- 지금도 기초전기전자 수업을 듣는데 RC, RL, RLC 회로 부분을 하고있다
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측정하여 특성곡선을 도시하라
③ 다이오드의 극성을 역방향으로 변환하여 Vd를 0부터 -30V까지 변화시켜 Vd와 I를 측정 하여 Vd - I 특성곡선을 구하라.
④ 다른 2개의 다이오드에 대하여 위의 실험과정을 반복하라.
4. 참고문헌
-최신기초전기전
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전기기구 기호
3-13 각종 반도체 및 논리 기호
기능 1. 납땜 용접법
기능 2 멀티 시험기 사용법(계시물,각종저항,다이오드 이용)
기능 3. 순방향 특성회로 제작 및 작동실험
기능 4. 정전압 회로 제작 및 작동실험
기능 5. 스위칭 회로
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실험목적
2. 이론
1) 테브냉의 정리
3. 사용기기 및 부품
4. 실험순서
[실험 1 : 옴미터의 사용]
[실험 2 : Rl이 330Ω일 때 Il, Vth, Rth의 측정(=330Ω)]
[실험 3 : 전원 장치의 전압과 테브냉 전압을 같게 했을 때 (Vps=Vth)]
[실험 4 : 저항 을 1k
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회로에 흐르는 전체 전류를 계산하여 표에 기록한다.
주파수 [㎐]
VR [v]
VLC [v]
전체전류
I [A]
fR - 6000
fR - 5000
fR - 4000
fR - 3000
fR - 2000
fR - 1000
fR - 500
fR
fR + 500
fR + 1000
fR + 2000
fR + 3000
fR + 4000
fR + 5000
fR + 6000
4. 참고문헌
-최신기초전기전자실험 (김지
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