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기초 전자전기공학실험, 홍릉과학출판사 http://dyon.postech.ac.kr/Edulab/gen-phy2/exp9/exp9.html http://user.chollian.net/~jackcom/study/hw/diode.htm http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm http://asan3.sch.ac.kr/~bslee/lecture/전자회로1/chap1/index.html 실험 제목 실험 목적 기초
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  • 등록일 2004.04.07
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기초 ② 실험 기술 (3) 이온을 이용하는 방법과 음극 스퍼터링 ① 2극 스퍼터링의 원리 ② 음극 스퍼터링의 몇 가지 특수한 장치 ③ 저압 음극 스퍼터링 ④ 이온 프레이팅과 이온빔을 이용한 방법 5) 막의 두께 측정방법 6) 향후의 전망
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  • 등록일 2008.10.29
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측정값이 정확히 나타나지 않아 애를 먹었다. 하지만 여러 중합 방법중의 하나인 광중합을 이해 할수 있었고 새로운 기계에 대한 원리의 이해 및 사용법을 빨리 익혀야 함을 느꼈다. 1.실험목적 2.기초이론 3. 실험장치 4. 실험방법
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  • 등록일 2006.09.07
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실험을 반복한다. ⑧만약 원판의 (disk)이나 환(ring) 모양의 도체를 수조상에 놓으면 등전위선들은 어떤 모양으로 변하는가? 또 원판 상의 점들, 환 내부의 점들은 어떻게 되는가? 5. 참고문헌 전기 자기학, 정인수외, 1998, 선문당, p35~37 기초물
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  • 등록일 2005.09.26
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다. <그림 1-20.1 PLD 기본원리> ◎ 참고문헌 : 반도체 제조장치 입문, 전전 화부, 성안당 집적회로 설계를 위한 반도체 소자 및 공정, 정항근, 홍릉과학 실리콘 공정기술 입문, 김종성, 동영 출판사 박막공학의 기초, 최시영, 일진사 없음
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  • 등록일 2008.10.29
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실험 2의 2,3번째 실험에서는 온도가 거의 일정 하게 되도록 조건을 만들어 주어서(60Hz) 거의 일정한 값의 저항값이 나왔다. 실험 2의 첫 번째 실험은 주파수를 0.3 Hz로 낮춰서 필라멘트의 온도가 변하는 조건을 만들어 주어서 V 와 I를 측정 하였
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  • 등록일 2013.10.28
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전기 저항값 측정공식을 찾아본 결과 로서, t는 기판의 두께이며 l은 기판의 길이이다. 여기서 길이는 두 유리시편 모두 같으므로 두께의 차이라고 볼 수 있다고 본다. 그리고 1조의 18 역시 우리가 실험한 조건에서의 전기 저항값이 제대로 나
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  • 등록일 2010.02.24
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저항값 및 멀티미터 측정값 첫 번째 두 번째 세 번째 네 번째 저항값 47×100, ±10% 10×105, ±5% 10×106, ±5% 22×102, ±5% 측정값 47.16 Ω 993 ㏀ 9,634 ㏀ 2.156 ㏀ ▶Bonus 실험 전 압(V) 저 항(R) 전 류(I) CDP용 사각 건전지 1.306 V 1.299 Ω 1.005 A 3.실험 및 고찰 이
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  • 등록일 2007.03.11
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측정 기기 6.우리주변에서 사용되고있는 컴퓨터 비젼 시스템, 7.신화변환회로의 원리. 8.감지기회로에서 전기적 잡음을 제거할수잇는 장치의 종류, 성능, 가격. 1. 실험 목적 2. 실험 장치 3. 실험 재료 4. 실험 방법. 5. 원료 계량과
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  • 등록일 2011.01.13
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전기 분야에서 널리 쓰이는 기초법칙으로서 이 실험에서는 과가 주어진 회로내의 전류 를 측정함으로써 이러한 법칙을 증명하고자 한다. (2) 키르히호프의 법칙(공식 풀이) 회로의 전압, 전류, 저항의 관계는 옴의 법칙으로 계산이 가능하지만
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  • 등록일 2008.10.25
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