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of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
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전기전자 회로실험 / 박철원 외2인 / 경문사
기초 전기전자공학실험 /
http://cyber.inha.ac.kr/class/stud/note/lec_no_list.asp
시뮬레이션 결과 분석
시정수τ와 주기T와의 관계에대해 생각해보자.
회로1에서의 시정수 τ= RC = 100 × 0.33×
{ 10}^{-6 }
= 33×
{ 10}^{-
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기본화 또는 최대항(maxterm)
2.4. Sum of Product와 Product of Sum
2.5. 논리식의 간단화
2.6. 카르노도(Karnaugh Map)
2.7. 카르노도에 의한 논리회로의 간소화(간략화)
3. 실험 부품
3.1. 측정기 및 도구
3.2. 실험재료
4. 예비보고서 문제
5. 참고 문헌
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측정 결과, PSpice시뮬레이션의 통한 예상된 값 & 이론값과 실제 실험을 통해 측정된 값이 거의 일치하였다.
< 3. 실험 결과에 대한 토의 및 고찰 >
실험 7. 삼각파 발생회로를 통하여 연산증폭기를 이용한 비교기, 적분기의 동작을 기초로 한
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실험:
(1) RC 미적분 실험 회로에서 R1=R2=100㏀, C1=C2=0.001㎌을 위치시키고 신호 발생기를 이용하여 1㎑, 0V~+10V 사인파를 인가한 후 스위치 S1, S2가 다음과 같은 위치에 있을 때 각각 양단의 전압 파형을 관찰하고 시상수를 측정하라.
a. S1개방-S2개
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회로의 공진 주파수는 R에 영향을 받지 않으나, Q는 영향을 받는다. R이 증가하면 Q는 감소하고 주파수 폭은 증가한다. 또한 Q가 감소하면 L양단의 전압 V(L) 및 C 양단의 전압 V(C)가 감소하고, 따라서 전류도 감소한다. 실험1에서 커패시턴스가 터
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측정전압이 15V가 나오게 전원 전압을 16.8V로 만든 이후에 실험을 하였다. 표 4-4에서 오차를 살펴보면 과정②와 과정④ 에서 0%부터2.38%까지 나타나는데 크기가 그렇게 크지는 않게 나왔다. 그리고 단순한 직렬회로 보다는 직렬회로와 병렬회로
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실험실의 환경이나 실험할 때 측정기를 사용하는 과정에서 차이가 난 것으로 생각된다.
5. Conclusion & Evaluation
-이번 실험을 통해 디지털 멀티미터와 파형발생기, 오실로스코프의 사용법에 대해 배웠다. 전에 기초회로실험을 듣지 않아서 실험
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회로를 그리시오.
5. 결론
RC 고역통과 필터에서 주파수가 커질수록 저항에 걸리는 출력전압는 증가한다.
RC 저역통과 필터에서 주파수가 커질수록 캐패시터에 걸리는 출력전압은 감소한다.
6. 참고문헌
기초회로실험 zbar외 1. 실험목적
2.
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회로를 구성하여 커패시턴스 값을 측정해 봄으로써 브리지회로에 대해 이해 하는 실험이었다. 8장에서 실험했던 브리지 회로를 구성하여 미지의 저항값을 측정하는 방법과 비슷한데 브리지로 저항, 인덕턴스, 커패시턴스, 인덕터의 Q지수 커
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