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전자회로실험 P.52~58
데이터 시트 검색엔진 https://www.alldatasheet.co.kr/ 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초 이론
2-2 소개
2-3 소자(부품) 소개
3. PSpice 시뮬레이션
3-1 시뮬레이션 준비물
3-2 시뮬레이션 과정
3-3 시뮬레이션 결과
4. 실험
4
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전자기기가 그렇듯 마모가 되어 제대로 된 값이 도출되지 않았을 가능성이 있습니다.
8. 참고문헌
전자회로실험 P.60~67
데이터 시트 검색엔진 https://www.alldatasheet.co.kr/ 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초 이론
2-2 소개
2-3 소자(부품) 소개
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실험 20-1
주어진 회로는 그림 20-1와 같다.
이론
실험 12에서 J2N4393에 대해 는 15.86 mA, 의 절대값은 1.5V 였던 것을 상기하라.
1. 이 증폭기의 해석을 시작하기 위해 바이어스 점 분석을 수행하고 이 회로의 직류 전압과 전류를 얻어라.
답 :
2. PSpice
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트랜지스터는 1959트랜지스터를 사용하였다.
*설계
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
TR에서 1)은 이미터 2는 베이스 3은 컬렉터
1.번 실험
VBE,VCE를 측정하라 ( DCV)
VBE = 0.64V
VCE = 3.71V
2.번 실험
Vin에 정현파 1KHZ, 50mVpp 를 인가하라
function generator 가 연결 된 상태에서
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1. 실험목적
트랜지스터의 NPN형과 PNP형에 대해서 관찰하고 실험 할 수 있도록 한다.
2. 실험기구
저항계, NPN 트랜지스터, PNP 트랜지스터
3. 실험이론
- 반도체 트랜지스터(Transistor)가 작동하기 위해서 순서를 따라 진행한다. NPN 의 동작 순서
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1. 실험목적
트랜지스터의 NPN형과 PNP형에 대해서 관찰하고 실험 할 수 있도록 한다.
2. 실험기구
저항계, NPN 트랜지스터, PNP 트랜지스터
3. 실험이론
- 반도체 트랜지스터(Transistor)가 작동하기 위해서 순서를 따라 진행한다. NPN 의 동작 순
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실험”, 내하출판사 실험 1. Pspice 이론 및 실습(1) 1
실험 2. Pspice 이론 및 실습(2) 1
1. 실험 목적 1
2. 기초 이론 1
3. 실험기자재 및 부품 7
4. 실험방법 및 순서 8
5. Simulation 11
6. 주의사항 및 주요 관찰사항 16
실험 3. 트랜지스터 증
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실험장비
3.장비목록
4.이론개요
5.실험순서
1) 트랜지스터의 형태, 단자, 재료의 결정
2) 컬렉터 특성
3) 와 의 변화
6. 토의 및 고찰
기초전자공학실험
결과 리포트
(쌍극성접합 트랜지스터(BJT) 특성) 1. 목적
2. 실험장비
3. 장비목록
4.
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전자회로기초및응용, 상학당, 남상엽 외2명
②Sedra/Smith, Microelectronic CIRCUITS, Fifth edidtion, OXFORD,2004.
③전자회로실험, 청문각, 김경태 외1명
④전자회로공학, 교우사, 최성재 외2명
http://blog.naver.com/3catas?Redirect=Log&logNo=60094543582&topReferer=http://cafeblog
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aver.com/PostView.nhn?blogId=710hsy&logNo=220292546488&parentCategoryNo=&categoryNo=39&viewDate=&isShowPopularPosts=false&from=postView
http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=596158&cid=614&categoryId=614
http://cad.knu.ac.kr/micro/bjt/ceamp.html 제목
실험 목적
실험 장비
이론(PSpice 포함)
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