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결과, 오실로스코프를 통한 출력 파형은 이론과 근접하게 나왔고 예비레포트에서 Pspice를 통한 시뮬레이션과 크게 다르지 않았다. 하지만 오랜만에 오실로스코프와 브레드 보드를 다루어 보다보니 미숙한 점이 많아 실험 시간이 오래 걸렸다.
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실험
(1) LED 구동원리와 용도
(2) 디지털 출력의 기능에 대한 조사
4. 백금측온센서를 이용한 온도계측실험
(1) 온도센서의 종류조사
(2) 브리지회로, 연산증폭회로
(3) AD컨버터, DA컨버터의 원리조사
5. 로드셀을 이영한 하중계측실험
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기초
② 실험 기술
(3) 이온을 이용하는 방법과 음극 스퍼터링
① 2극 스퍼터링의 원리
② 음극 스퍼터링의 몇 가지 특수한 장치
③ 저압 음극 스퍼터링
④ 이온 프레이팅과 이온빔을 이용한 방법
5) 막의 두께 측정방법
6) 향후의 전망
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다.
<그림 1-20.1 PLD 기본원리>
◎ 참고문헌 : 반도체 제조장치 입문, 전전 화부, 성안당
집적회로 설계를 위한 반도체 소자 및 공정, 정항근, 홍릉과학
실리콘 공정기술 입문, 김종성, 동영 출판사
박막공학의 기초, 최시영, 일진사 없음
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법칙
키르히호프의 법칙은 전류에 관한 제1법칙과 전압에 관한 제2법칙이 있다.
① 제1법칙 : 전류의 법칙
제1법칙은 전류가 흐르는 길에서 들어오는 전류와 나가는 전류의 합이 같다는 것이다. 1. 소개
2. 실험방법
3. 결과
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전류와 곱의 대수합과 같다.)을 만족하는 결과 값이 나왔다.
그러나 키르히호프의 법칙들은 만족 하지만 이론값과 측정값의 오차는 많게는 23%에서 작게는 0.027%의 값이 나왔다.
오차가 난 가장 큰 이유는 실험을 할 때, 게이지 눈금이 전자식
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결과 MOSFET에 흐르는 전류가 감소하여 전압 이득이 줄어들게 된다. 이므로 가 줄어들면 CMRR도 줄어든다.
4.6 연습문제
1. 그림 4.5의 회로가 실제 실험이었다면, SPICE 시뮬레이션을 통하여 측정된 실험 결과와 비교하고 그 결과를 간략히 해석하라
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같은출력을 얻는다.
그림 4. 비반전 회로
참고문헌 ; 전자회로공학 / p633~651
기초전자회로실험 / 연산증폭기편 1.op-amp의 개관
2.동작의 개요
3.op-amp 이득
4.입력/출력 극성
5.공급전압
6.기본적 차동증폭기
7. 반전 증폭
8.비반전 증폭
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결과값이 안나왔는데 결국 클럭term을 한칸씩 이용
하여 cnt에 001씩을 더하여 8개의 출력을 나타내도록 유도하였다.
약간은 짜맞춘 느낌이 들지만 파형이 떴을 때 꽤 만족스러웠다. 1. 예비조사 및 실험 내용의 이해
1.1 스텝모터의 의미
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다음과 같이 전압 증폭률이 생기는 것을 확인할 수 있다.
또한 위 전압 파형을 보게 되면 아까 말했듯이 전압의 위상이 180도 바뀌는 것도 확인 할 수 있다. 3. 실 험 과 정
4. 실 험 결 과 사항
5. 예비보고 사항 문제
6. 검토 및 논의
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