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회로 설계
회로설계를 위한 전압 전류 저항 값
사용되어진 저항
V
U
10V
5mA
2kΩ
560
4.7k
1.2k
470
회로 설계 후 측정한 전압, 전류, 저항값
V Applied
10V
1.99mA
1.984k
실험결론
이번실험은 직렬 및 병렬로 연결된 저항의 성질을 알아보는 실험으로 같은 저
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실험 방법
1)RC회로 만들기 : 주어진 소자(저항과 커패시티)를 사용하여 회로 시험기에 RC회로를 꾸민다.
2)함수 발생기를 이용하여 회로에 전원 공급 : 건전지나 회로시험기의 출력 전원대신 함수발생기의 출력을 전원으로 사용한다. 함수발생
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선택하여 단일 출력으로 내보내 는 조합 논리회로이다. 멀티플렉서는 ‘n개의선택 (단자)변수’ 조합에 따라 많은 입력들 중 하나를 선택하여 그대로 출력에 넘겨주기 1. 실험 목적
2. 기초 이론
3. 실험 예비 보고
4. 실험 방법 및 순서
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논리회로의 이론을 사용하여 각각 AND 와 OR Gate를 이용하여 2개의 IC칩으로 구성하였다. 2개의 NAND Gate 나 NOR Gate IC 칩을 사용하여도 충분히 결선도를 구현할 수 있지만 좀 더 쉽게 결선도를 구성하기 위해 AND 와 OR Gate를 사용하였다.
실험 2에서
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논리회로로서, 림수(borrow) 입력을 취급하기 위해 변수 A,B에 추가로 B의 입력이 한 개 필요함을 공부하였는데, 실제 실험을 통해 이론과 비교 확인해 보았다. 예비보고서와 실험전 시뮬레이션 결과물과 실험 결과는 일치하였고, 이론적 지식을
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설계 방식에 대한 구조를 알수있었다.
일반 논리 게이트나 표준 TTL IC의 그래픽 심벌을 조합하여 설계하는 소위 게이트 레벨 설계는 대상회로의 규모가 커지면 전체의 동작상태를 파악하거나 일시에 시뮬레이션 하기가 어려워진다. 그러므로
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논리회로를 구성하여 그리고, 카르노맵을 사용하여 간략화시킨후, NOR-NOR로 회로를
구성하여라.
f(A,B,C,D)= SUM (0,4,8,9,10,11,12)
CD
AB
00
01
11
10
00
1
0
0
0
01
1
0
0
0
11
1
0
0
0
10
1
1
1
1
☞
f(A,B,C,D)=AB prime +C prime D prime
☞ NOR-NOR 회로 1. 실험목적
2. 이
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De-Morgan 의 정리라 하며, 이 두 식은 NAND 게이트 와 NOR 게이트의 응용 및 논리회로를 간소화시키는데 널리 이용될 수 있다.
2.1 NAND 게이트를 이용한 기본논리회로
[ 실 험 ] 1. 목적
2. 기본이론
- 불승산
- 불가산
- not 기능
3. 실험
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구상 회의
11월 29일 : 디지털회로 설계 및 부품 선정
12월 2일 : 회로 배선 및 제작, 작동 확인
12월 3일 : 최종 점검 및 보완
12월 7일 : 텀 프로젝트 발표 목차
1. 주제선정동기
2. 주제소개
3. 진리표
4. 하드웨어
5. 진행계획
6. Q&A
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1. 논리회로의 기초 및 응용
2. Boolean 대수와 논리식 간략화
실험 계산값, PSPICE값, 측정값 datasheet 1. 논리회로의 기초 및 응용
2. Boolean 대수와 논리식 간략화
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