|
공급
(b) 입력에 고전압 공급
[그림] 표준 TTL NAND 게이트 동작
3. 참고 자료
디지털 논리와 설계, 유황빈 (정익사) 600-607page
디지털 工學實驗, 구성모 외 5인 공저 (복두출판사) 149-152page 1. De Morgan의 정리
2. TTL NAND/NOR게이트의 정의와 동작
|
|
|
실험은 우리가 배우는 이론들에 대한 확신을 가질 수 있게 해줄 것이고, 이론을 회로에 적용하는 방법을 천천히 배워나갈 수 있을 것이다.
Ⅱ. 설계실습내용 및 분석
4.1 3.1의 설계를 기반으로 하여 DMM을 저항측정 mode에 놓고 측정범
|
|
|
설계 작품 선정 및 일정 수립
자료 분석 및 회로 구상
설계 회로도 및 예상 결과 예측
* 2주차 : 부품구입 및 회로 제작
* 3주차 : 완성품 회로 테스트, 문제 제기
결과물 실험 고찰 및 문제해결, 결과물 발표 1. 설계 관련 이론
2. 신호등 설명
|
|
|
실험을 하였다. 이는 외부입력이 기준
전압보다 크다는 것을 의미한다. 그리고 만약, 저전압 레벨 실험을 하기 위해서는 9
번핀과 10번핀을 바꿔주면 된다.
이번 Comparator회로는 앞서 선행했던 회로와는 약간 달랐다. 원래 LED에서 바로
접지로
|
|
|
주어진 조건에 맞춰 자기 바이어스의 저항과 전압의 값을 결정하고 실제 회로를 구성하여 드레인-소스 전압과 드레인 전류의 값을 비교하여 본다. 요약문 1
실험내용 1
실험결과 2
문제점 및 애로사항 4
설계프로젝트 진행사항 4
결론 4
|
|
|
작동하기 위한 커패시터의 전압이 최소 =50[V]라고 할 때, 충전에 필요한 최소의 시간을 3초로 설정하기 위한 저항 값 R을 구하라.
1) 스위치가 열렸을 때
2) 스위치가 닫혔을 때
, 실험목적
실험준비물
예비과제
실험
설계 및 고찰
|
|
|
회로를 설계하기 위하여 여러 소자들의 값을 선정하였고 Pspice를 통하여 회로도를 구성하고 시뮬레이션 하였다. 설계수행을 통하여 이론적 지식을 바탕으로 L과 C의 용량을 선정하여 회로도를 구성하였는데 위의 실험 목적인 출력파형을 나타
|
|
|
회로의 설계 규칙을 설명하라.
- 우선 활성 상태가 되기 위하여 를 0.7V가 되도록 하는 것에 유의한다. 값을 측정하고 =+0.7V가 되도록 를 , 로 분배한다.
4. 사용기기 및 부품
2N2222 또는 2N3904, , , 1㏀, 1.3㏀, 3.3㏀, 10㏀, 15㏀, 47㏀, 100㏀
5. 실험 내용
(
|
|
|
회로에서 공식 을 이용하여 계산한 후 인 것을 이용하여 실험의 응답을 확인할 수 있었습니다.
실험 (1)은 이므로, 부족제동응답 실험 (2)는 이므로, 임계제동응답, 실험 (3)은 이므로 과제동응답임을 확인할 수 있습니다. 실험
설계 및 고찰
|
|
|
한다. 칩자체의 문제로 인하여 측정값이 일정하게 나온 것 같다.
4. 레퍼런스
- 회로이론 / Nilsson / PEARSON / p.670∼695
- 그림으로 쉽게 배우는 회로이론 / 인터비젼 / 신융기 / p.326 ～ 327 1. 관련이론
2. 실험결과
3. 결론 및 토의
4. 레퍼런스
|
|
메뉴펼치기
