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설계한 C 입력형 필터와 Simulation의 결과 그래프 ▣ 참고문헌 ①전자회로기초및응용, 상학당, 남상엽 외2명, 06년7월1일, 271p~273p ②전자통신기초실험, 상학당, 전자통신연구회, 06년8월25일, 165p~173p ③전자회로실험, 청문각, 김경태 외1명, 03년1월1
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완전한 D/A변환기이다. D/A변환기에서와 같이 A/D변환기에도 분해능, 비선형성과 같은 Spec이 사용된다. A/D변환기의 또 하나의 중요한 파라미터는 아날로그 입력을 디지털 출력으로 바꾸는데 걸리는 변환시간이다. ■ 실험목적 ■ 실험이론
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회로를 설계하여 시정수를 측정하였다. 인덕터의 내부저항을 고려하지 않았을 때, 계산치는 R=0.994kΩ, L=10.1mH을 사용하여 τ=10.16us로 계산되었고, 실험치는 τ=8.4us로 측정되어서, 오차는 20.95%로 매우 높게 계산되었다. 반면, 인덕터 내부저항을
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  • 등록일 2010.08.08
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실험 준비물 - OP Amp : LM741CN 1개 - 1N4001 다이오드 2개 - Oscilloscope 1개 - Potentiometer : 10 KΩ - 커패시터 : 0.01 uF 2개 - 점퍼선 다수 3. 설계 실습 계획서 (1) 그림 1에 주어진 Wien Bridge 회로에서 V+와 V_out의 관계식을 구하시오. 이 관계식을 이용하여
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실험은 증가형 MOFET의 단자 특성과 바이어싱에 관한 실험이었다. MOSFET는 Metal - Oxide - silicon field - effect transistor(금속 -산화물 - 반도체 전라 접합 트랜지스터)로써, MOSFET는 특히 단일 실리콘에 제조되는 회로인 집적 회로의 설계에 가장 널리 사
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: 1개 저항 : 가변저항 1MΩ 2개, 100kΩ 2개, 10 kΩ 2개 3. 설계실습 계획서 3.1 Current-Steeing 회로 설계 3.1.1 V_DD=V_CC=10V일 때, 출력 전압 ( I )가 1mA가 되도록 <그림 10.1>과 같은 전류원을 설계하라. 이 때 MOSFET M_1, M_2로는 2N7000을 사용한다. 
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회로를 설계하시오. F(A,B,C) = BC A 00 01 11 10 0 0 1 3 2 1 4 5 7 6 EPI1 = = BC EPI2 = = AC EPI3 = = AB F(A,B,C) = = EPI1 +EPI2 +EPI3 = BC + AC + AB A B C V 3.3 다음의 논리함수들을 SOP와 POS의 형태로 간략화 하시오. Input variable Minterm Maxterm Output a b c Term Designation Term Designati
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  • 등록일 2007.07.28
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1. 실험목적  • OP Amp를 이용하여 버퍼(Buffer)에 대해서 이해한다.  • OP Amp를 이용하여 Active 저역, 고역통과필터를 설계한다.  • 저역통과필터(LPF), 고역통과필터(HPF)를 이용하여 대역통과 필터(LPF+HPF)를 설계하고 이를 이해한
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400pF 저항 : 1kΩ 1.2kΩ, 7.5kΩ, 10kΩ 연산증폭기 4.실험방법 1. 가산기의 이득은 -1로 반전된 형태로 회로를 구현한다. 2. 2차 저역통과 필터의 이득은 2로 비반전된 형태로 회로를 구현한다. 차단 주파수가 60Hz가 되도록 설계한다. 3. 2차 저역통
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설계한 저항 값 다수 4. 실험 방법 4.1 양방향 리미터 회로 1) 실험 회로 4-1의 회로를 구성하라. R=560Ω, 이다. 2) 입력에 직류 옵셋 전압이 0, 피크값이 4V, 주파수가 100Hz인 정현파를 인가하고 출력 파형을 관찰하라. 3) 파형이 정확하게 잘리는지 확
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  • 등록일 2015.10.02
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