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= 5.4V/790Ω = 6.83mA
re’= 25mV/IE = 3.66 Ω
Zbase = hfc(re’+re) = 158kΩ
ZOUT = RE || (RTH/hfc)= 12.6Ω
Zin = R1 || R2 || Zbase = 1.80kΩ
Av = rE /(re’+ rE) = 0.9953 MultiSIM Deisgn
- 다단증폭기 -
01. 설계조건
02. 증폭기 설정, 멀티심 측정
03. 결과
04. 역할분담
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멀티심 결과 1mV의 입력 오프셋 전압이 나왔지만, 데이터시트에 기재된 것은 2mv~6mV의 값으로 제시되어있다. 이 차이는 데이터시트의 Test Condition의 조건이 달라 데이터시트와 다른 것으로 예상된다.
■ 모의실험회로 3 : 연산증폭기의 입력 오프
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멀티심에서는 16V로 전압을 줄수 있어 찌그러지는 것을 확인 할 수 있었다. 그러나 ELVIS 특성상 최대10V이기 때문에 찌그러지는 현상은 볼 수 없었다. 전반적으로 멀티심과 ELVIS 차이가 심하게 나서 같이 그래프를 그릴 시 시간 때문에 한쪽은 거
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멀티심 측정 값은 오프셋 전압과 슬루율에서는 오차값을 찾을 수 있었다. 공통모드 제거비(CMRR)값은 데이터시트 값의 안쪽에 들어오기는 하나 아슬아슬하게 들어오는 모습을 보여주었다. 아무런 다른 저항이 없는 멀티심 측정이 ELVIS 측정보
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멀티심을 통해 이론적인 값과 근접하게 측정한 뒤 실제 실험에서 엘비스를 이용하여 결과값을 도출해냈다. 실제 실험에서 이론과 비슷한 값을 찾아내었고, 보드선도를 통해 LN741CN의 데이터시트와 비슷한 그래프를 도출해 내었다. 예비실험에
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