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박막증착효과를 얻을 수 있을 것이다.
또한 XRD분석결과 우리가 실험한 Au의 XRD데이터가 JCPDS와 비교해보면, 약간의 오차가 있었다. 그 이유로 코팅시에 Au에 약간의 백금이 첨가가되었기 때문이다.
Ⅳ. 참고문헌
1. Richard C. Jaeger, 반도체공정개
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스퍼터링
반응성 스퍼터링은 금속 target을 이용하여 스퍼터링 할 때 불활성 가스와 동시에
반응성이 있는 가스를 흘려줌으로써 화합물 박막을 형성하는데 주로 사용된다. DC diode, RF diode, triode, magnetron, modified RF magnetron 스퍼터링 장치가 반응성
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스퍼터링은 높은 에너지를 갖는 미립자들에 의한 충돌에 의해 타겟(target)이라고 불리워지는 물질의 표면으로부터 원자들이 떨어져나오는 메커니즘으로 설명되어질 수 있다. 이 증착 방법은 Al, Al 합금, Pt, Au, Ti:W, 그리고 W과 같은 금속 박막의
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박막증착법(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition, ALCVD)
3. PVD(physical vapor deposition)법
1) 진공증착(evaporation)
2) 스퍼터링(Sputtering)
3) 이온플레이팅(ion plating)
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박막의 증착 속도는 약 50배 정도까지 향상될 수 있으며, 증착 압력도 1 mTorr까지 낮아질 수 있다.
전형적인 자장의 세기는 200 ∼ 500 G이다.
Fig. 14. Applied fields and electron motion in the planar magnetron
이 밖에도 chamber 벽과 기판으로부터 스퍼터링이 감
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박막의 성질을 향상시키기 위하여 glow discharge를 이용하는 물리증착과정의 총칭이라 할 수 있다. 이온 플레이팅도 스퍼터링과 비슷하게 플라즈마를 사용한 증착공정이지만 스퍼터링과는 달리 보통 증착하고자 하는 물질을 증발 법으로 기상
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스퍼터링(sputtering) 효과, 화학적 작용에 의한 라디칼 반응 그리고 물리적 작용과 화학적 작용의 혼합효과로 나누어 생각해 볼 수 있다. 현재 반도체 공정에서 사용되고 있는 플라즈마 식각은 물리적, 화학적 작용이 혼합된 형태인 반응성 식각
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이유???
< 스퍼터링을 이용한 투명전극 제조 및 그리드 형성 >
< CIGS 박막태양전지의 I-V, 효율 측정 및 소자파라메터 추출 >
Problem 1) 주어진 값을 그래프로 나타내고, 각 영역이 의미를 나타내시오.
Problem 2) FF, 효율값을 검산하시오.
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박막증착이 가능한 진공도에 도달하게 되면 power supply에 전원을 넣고, 전류를 가해 발생하는 저항열에 의해 시료(Alq3 또는 TPD)를 승화시켜 기판 위에 박막을 증착시킨다.
5) 증착이 완료되면 power supply 및 RP와 DP의 전원 스위치를 내리고, N2 gas
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박막이나 나노구조를 만들 때 쓰이지만 진공이 필요하므로 장비가 고가이며 증착속도가 느리다. CVD는 넓은 면적에 빠른 속도로 박막이나 나노구조를 증착시킬 때 사용한다. 현재 CVD는 LED 제조에 많이 쓰이고, PVD는 PDP에서 금속 전극 및 유전
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