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CVD
WF6
Mo
(MoSix*)
열 CVD
MoCl5, H2 (SiH4*)
MoF6, H2(or Si)
5. 참 고 문 헌
[1] Goiyama Hiroshi, ‘CVD핸드북’, 반도출판사, 1993
[2] K.L.Choy, ‘Chemical Vapor depostion of coatings’, Progress in Materials
Science, 2003
[3] Stanley Middleman, K.Hochberg , 'Process Engineering Analysis in Semicon
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cvd?
Principle of cvd
High purity and quality deposition
Good economy and process control
A great variety of chemical compositions
High step coverage
Selective deposition
AdvantageS of CVD
Classification of CVD
Thermal(conventional) CVD
- Operating Temp. : 800 1200 ℃
- Mass Products
- Hi
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processes to deposit Si by using the methods
-CVD를 이용한 실리콘 증착법
Polycrystalline silicon은 다음과 같은 반응에 의해 증착시킬 수 있다.
SiHCl3→ Si + H2+ HCl
SiH4 → Si + 2 H2
이 반응은 보통 순수한 Si를 얻거나 7080%정도의 질소 안의 Si의 용액을 얻을 때 LPCVD
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Process
2 Sputtering Process
3 Ion Plating Process
Ⅱ. CVD (화학기상증착 : Chemical Vapor Deposition)
1. CVD 정의
2. CVD 응용범위
3. CVD 공정
4. CVD 장점
5. CVD 공정 방법
Ⅲ CVD와 PVD의 장단점
Ⅳ. 전기전도도 측정방법
1. 전기전도도 측정계
2. 전기전도도 측정원리
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process
5. Heating source
6. Deposition of materials
7. Deposition 의 종류
8. Properties of evaporated films
** Sputtering **
1. 서론
2. Gas Discharge의 원리
** CVD (Chemical Vapor Deposition) **
1. CVD (Chemical Vapor Deposition)
3. CVD의 종류
4. CVD Reactor
5. CVD Kinetics
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1.지원동기
램리서치코리아_Depo (CVD) Process Engineer_최종 합격 자기소개서
2.입사 후 포부
램리서치코리아_Depo (CVD) Process Engineer_최종 합격 자기소개서
3.성격 장단점
램리서치코리아_Depo (CVD) Process Engineer_최종 합격 자기소개서
4.경력기술서 혹은
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프로세스 맵핑, X-Y Matrix 기법 등을 배웠습니다. 문제를 파악하고, 이를 다방면에서 꼼꼼하게 분석하여 해결해내는 저의 역량을 활용한다면, 실제 공정 과정에서도 문제점을 파악하고 개선하는데 도움을 줄 수 있을 것입니다. ?My Competency
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