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반도체소자의 제조공정
1. 단결정성장
2. 규소봉절단
3. 웨이퍼 표면연마
4. 회로설계
5. 마스크(Mask)제작
6. 산화(Oxidation)공정
7. 감광액 도포(Photo Resist Coating)
8. 노광(Exposure)공정
9. 현상(Development)
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반도체 공정 장비 진행 방법
1. Cleaning
(1) 아세톤
(2) 메탄올
(3) 물로 헹굼(Di Water)
(4) SPM(황산:과산화수소=1:1)
(5) Di Water로 헹굼
(6) BOE (6:1)
2. LPCVD 장비 사용방법
(1)Chamber를 내림(Chamber안을 Cleaning한 후 Chamber를 내림)
(2)Process STB(Process S
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공정(웨이퍼 가공)>의 대표적인 5단계
초기 산화
마스킹
나이트 라이드식 각
이온주입
금속개선증착
<<그림>>
공정 목적 :
배선 간 간격이 매우 미미하여 합선의 가능성이 큼.
웨이퍼에 그려질 배선간 합선방지 (배선
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공정(Metal Interconnect)은 어떻게 이루어지는지 알아보도록 하겠습니다.
■ 반도체용 금속 배선 재료의 대표주자, 알루미늄(Al)과 텅스텐(W)
대표적인 반도체용 금속 배선 재료인 알루미늄(Al)은 실리콘 산화막(Silicon Dioxide)과 부착성도 좋고 가공성
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산화공정은 웨이퍼 표면을 처리해 보호막을 만드는 단계다. 웨이퍼 그 자체는 부도체 상태인데 그 위에 산소, 수증기를 뿌려 산화막을 입히는 것이다. 세 번째, 노광공정이다. 이를테면 반도체 회로의 밑그림을 그리는 과정으로, 사진 현상과
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, 인산소다
(네가티브용) n-부틸아세테이트
(포지티브용) H2)
성분불명의 전용박리제
유기클로로실란, 헥사메틸디실라잔
건조
증기건조
프레온, 에탄올, 이소프로필알콜 제5장 반도체 공정기술
5.1 반도체 공업
5.2. 반도체 제조 원료
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산화막
9. RTP(Rapid Thermal Process)
10. CVD(Chemical Vapor Deposition)
11. ALD(Atomic Layer Deposition)
12. Spin Coating(Spin-On Glass)
13. Photo-Etch 공정(Pattering)
14. Photolithography 공정(PR 도포)
15. 노광공정
16. 광원변화추이
17. 현상(Development)&Hard Baking
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공정조건의 제어범위가 매우 넓어서 다양한 특성의 박막을 쉽게 얻을 수 있을 뿐만 아니라 좋은 step coverage를 갖는 등의 특성이 있기 때문이다.
※이론적 배경
CVD는 반도체의 제조공정 중에서 가장 중요한 기술의 하나이다. 역사적으로는 19
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(As), 안티몬(Sb) 등을 넣으면 안정한 결합을 하고도 전가가 한 개 남아 이 전자가 자유로운 상태의 전자(free electron)가 되어 전기를 운반하는 작용 [캐리어(carrier)]을 하게 된다. 1.반도체에 대하여...
2.반도체 제조공정(CMP)
3.참고문헌
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산화(태우는)시킴으로써 레지스트를 부풀리거나 들어올리는 화학적 작용에 의해서 이루어집니다.
PROBE TEST & DIE CUT
반도체의 표면위에 보호막을 씌운후에 웨이퍼는 후면준비(backside preparation)이라는 공정을 거치는데 이는 얇은 웨이퍼로 하여
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