|
1. N-type과 P-type 접합에서(N-P 접합)에서 Energy band diagram, Space charge profile, Electric field, Potential에 대한 모식도를 그리고 Electric field, Potential식을 유도하시오(30점)
|
|
|
기말고사 > 9/1 화면 다루기
9/2 워크시트와 셀 다루기
10/1 데이터 다루기(1)
10/2 데이터 다루기(2)
11/1 인쇄하기와 수식 만들기
11/2 주소지정하기
12/1 기본함수 다루기
12/2 실무함수 다루기
13/1 그리기도구 다루기
13/2 창
|
|
|
포함하는 기체를 도입하여 조절한다.
◎참고문헌 및 자료 출처
- Robert F. Pierret, 박창엽 역, 반도체소자공학, 교보문고, 초판, 1997, pp.149-164 반도체 공정과정
1. 산화
2. 확산
3. 이온주입
4. 리소그래피
5. 박막증착
6. 에피택시
|
|
|
Chapter 1
Visualization of the Silicon Crystal
1.1
(a) Please refer to Figure 1-2. The 8 corner atoms are shared by 8 unit cells and therefore contribute 1 atom. Similarly, the 6 face atoms are each shared by 2 unit cells and contribute 3 atoms. And, 4 atoms are located inside the unit cell. Henc
|
|
|
반도체개론 -장지근 외
2) 반도체소자공학 - betty lise anderson외, 서정하 외 역
3) Solid State Electronic Devices - Ben Streetman, Sanjay Banerjee
4) 전자기학 - popovic zoya, 박동철 외 역
5) 한국진공학회지 제 10권 제 1호, 2001년
6) 엔지니어를 위한 기초전자공학 -
|
|
|
광전자 소자
반도체 나노와이어 트랜지스터를 통하여 표면 플라스몬(plasmon)의 광 신호를 근접장(near field) 영역에서 전기적 신호로 고효율 변환이 가능한 소자.
이와 함께 단일 광자에서 발생되는 단일 표면 플라스몬 역시 전기적 신호로 고
|
|
|
소자(素子).
Photoconductive effect에 대해
-Photoconductive effect의 정의
광을 조사하면 반도체에 케리어가 발생하여 그 전도율이 증가하는 현상을
광전도 효과(Photoconductive Effect)라 한다.
-Photoconductive effect의 원리
반도체 에너지대의 금지대폭(Eg=
|
|
|
공학도로서 이런 유능한 기술에는 관심이 있지만, 이렇게 자세히 알아본 적은 없었다. 이번 과제에서 알게 된 발광다이오드 분야에 한국의 기술에 대한 자부심과 나 역시 세계의 주역이 될 수 있는 기술을 만들고 싶다는 생각을 갖게 되었다.
|
|
|
공학회, 2007
이상배, 전자공학 교과과정의 현황, 대한전자공학회, 1984
정타관 외 2명, 일반 전자공학, 북스힐, 2008
한국과학재단, 초전도 기술개발 추진 정책연구, 1995
Giorgio Rizzoni 외 3 명, 전기전자공학개론 : 회로해석 및 반도체소자 1, 한국맥
|
|
|
숙지할수 있는 좋은 기회가 된것
같다.
7. 참고문헌
- 제어시스템해석 및 설계 (Raymond T Stefani)
- 공학실험(한국항공대학교)
- 회로해석 및 반도체소자 전지전자공학개론1(Giorgio Rizzoni)
- 시스템동역학(Katsuhiko ogata)
- 기본전기전자(이병효)
|
|
메뉴펼치기
