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2. 작품 개요
3. 목적
4. 구성 블록도
5. 작동 설명
5.1 회로도
5.2 회로도 설명
5.3 프로그램 설명
5.4 소스프로그램
6. 부품 리스트
7. 졸업작품 과정에서 느낀점
8. 참고서적
9. 데이터시트
10. 롬라이터 사용시 주의사항
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회로의 충,방전시 시간에 따른 전류와 전압의 변화를 알아보기 위한 실험이었다.
우선 측정한 값으로 각각의 콘덴서와 저항 조합에 따른 전압과 전류의 변화를 그래프로 나타내어 보았는데 결과는 이론에서 보았던 그래프와 거의 같은 모습
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사람을 놀라게만 하는 서라운드 음향과는 차원이 다르다고 할 수 있다. 1. 돌비 디지털 (Dolby Digital, AC-3)
2. DTS (Digital Theater System)
3. SDDS (Sony Dynamic Digital Sound)
4. SACD
5. MPEG(Moving Picture Expert Group)
6. THX (Tomlinson Holman\'s eXperience)
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회로도에 나타난 SR래치는 클럭펄스에 따라 동작하는 SR래치이다. 클럭펄스를 나타내는 CP가 0이면 S와 R이 무엇이든간에 S' = 0, R' = 0이 되고 CP = 1이면 S와 R이 무엇이든간에 S = S', R = R'이 된다. 따라서 CP가 0에서 1로 변할 때 상태가 달라지는, 천
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디지털 치료제’가 떠오르는 까닭, (시사위크, 2021.8.11.)
“의학계 난제 ‘치매 완치’, IT 기술이 발 벗고 나선다”, (테크월드, 2021.11.15.)
“\'치매 조기 치료하는 AI\'…국내 연구진·스타트업 활약”, (AI타임스, 2022.2.23.)
“뇌 정밀 자극으로 치
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회로 4개), EEPROM(EE011-Winbond)
FND 500, 푸시버튼 SW, 330Ω(세그먼트용), 1KΩ(발진용), 2.7KΩ(발진용), 220㎌(발진용)
전체 회로도
<설계보고서>
- 2009 디지털 공학 실습 과제 2 -
EEPROM 실험
과목명 : 디지틀공학실습
학 과 : 전자공학과
학 번 :
이 름
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회로의 전반적인 이론과 더불어 실험에 많은 도움을 주신 김성열 조교분께 감사의 말을 전합니다. 수고하셨습니다. □ 실험 과정
□ 실험 결과
□ 실험 과정
□ 실험 결과
□ 실험 과정
□ 공진 주파수
□ 실험 결과
□ 고찰
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비고 및 고찰
실험 1은 ROM을 논리소자들을 이용하여 만들어 보는 실험이었습니다. 실험 1의 회로는 SW1~4에 따라서 저장되어 있는 데이터가 출력되는 회로입니다. 이 실험은 스위치를 동작시키지 않은 상태에서의 기본 값은 입력된 값인 A~H에
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실험이론
1.멀티플렉서(Multiplexer)
데이터 선택회로 라고도 하며, 여러 곳의 소스로부터 입력되는 데이터(디지털 정보)중에서 하나를 선택하여 하나의 출력 단으로 보내는 장치
기본적인 멀티플렉서는 여러 개의 데이터 입력선,하나의 출
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디지털 신호를 다룸에 있어 인버터로 사용할 수 있다.
(2) NOR gate
입력 == 0V, ==5V 입력 =0V =5V, =5V =0V
▶ NOR gate 구성 회로이다. 시뮬레이션 파형의 위쪽 2개가 입력 아래쪽이 출력이다. 입력의 네 가지 경우에서 ==0V일 때만 , 모두 Cut off되어 출력이
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