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전압이 인가되어 전류가 흐르면 주파수가 60Hz 이면 1초에 60바퀴씩 회전하는 회전자계가 형성되고 이 회전자계의 자극이 다음 그림1과 같이 회전자의 자극과 1직선상에 있을 때는 두 자극 사이에 작용하는 힘은 상하로 잡아당기기만 할 뿐이고
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대응할 수 있도록 mobile electron을 제공해 주기 때문이다. 에서 로 si substrate의 도핑 컨센트레이션과 관련이있고 절연체 부분과 역시 si기판의 도핑 컨센트레이션과 관련이 있기 때문에 적절한 를 조정하고 Id-Vds 그래프가 각각 Vg에 대해
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조정하는 것이 곧 알게 되겠지만 전력계통에서 매우 중요하다.
순수 리택턴스 부하이면
theta
=+-90 이고
pf
=0 이며 평균전력이 0 이다. 이 때는 등가부하 가 인덕턴스(
theta
=90 ) 또는 용량성(
theta
=-90 )이며 전류와 전압은 90 차이가 있다.
(9) 전
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함수이기 때문에 현실적으로 이런 경우는 거의 없다. 이는 식 (7.2)의 발진조건을 만족하며 발생된 출력신호에는 고조파가 거의 없는 단일주파수 성분만이 포함된다는 의미이다. 발진조건식 (7.2)를 ‘바크하우겐의 발진조건’이라 한다.
2. 식
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전압에 의한 가변이 있었지만 그럼에도 불구하고 ZD , Tr 이용한 정전압 설계와 같이 Vo 는 일정한 정전압을 유지함을 볼 수 있었습니다.
항상 정전압 다이오드에 전류가 흐르도록 하면 부하에 가해지는 전압, 즉 출력전압은 일정하게 됩니다.
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조정 한다.
6) 파형이 나오면 파형을 측정한다.
6.실험 결과
1) f =10kHz Vpp = 4V 사인파
2) f =100kHz Vpp = 3V 톱니파
3) f =7kHz Vpp = 5V 구형파
4) f =25kHz Vpp = 6V 사인파
5) f =4kHz Vpp = 1.5V 구형파
6) f =38kHz Vpp = 5V 사인파
7.고찰
이 실험을 통해서 Function generator와
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전압과 테브냉의 전압을 같게 했을(Vps=VTH)
1).Vps=VTH가 되도록 전원을 조정한다.
포텐셔미터에 옴미터를 연결하여고 포텐셔
미터의 저하이 RTM이 되도록 저항을
조절한다.
2).다음의 회로처럼
실험 2의 회로에서 제거하고
연결한다. S2를 개방
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전압, 전류원을 회로에서 제거 하고 저항을 계산하고 테브닌 등가 전압을 구하기 위해서는 을 단락시키고 계산을 해야 한다. 그리고 을 구하기 위해서는 의 값을 모두 알아야 한다.
중간고사를 준비하면서 테브닌 등가회로에 대해 공부하긴
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전압을 오실로스코프의 노란선으로, 출력전압을 파란선으로 확인하
였으며, Vin과 Vout을 통하여 전압이득을 구할 수 있었다.
- 위의 실험에 있어서 회로에 신호전압을 인가하여 출력신호를 관찰하였을 때 그
진폭은 증가 했다. VR을 조정하여
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전압은 베이스의 입력 신호 전압과 180도의 위상차이를 보였다. 입력 신호는 Ic와 동상이다. 키르히 호프의 법칙에 따라 VOUT = Vcc-Ic*RL 의 함수 관계를 보이므로 출력 신호는 Ic와는 180도의 차이를 보이게 되고 따라서 입력과 출력신호는 180도의
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