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etching in both vertical and horizontal direction
related to chemical process 1. etching parameter
에칭에서 주로 사용되는 용어들에 대한 정리
2. dry etching
dry etching의 종류, 메커니즘, 사용되는 가스와 장단점 그리고 장비들을 보기 쉽게 정리
3. wet etchi
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습식 에칭 장치에 요구되는 성능과 문제점
2. 화학과의 연계성
2.1. SiC상의 무전해 Ni-P 도금 시 에칭의 영향
2.2 에칭 폐액의 산 분리 기술
3. 기술개발 추이
3.1 기술 개발 현황
3.2 에칭 장비
3.3 에칭 공정
3.4 모델링 및 전산모
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이용한 식각.
1. 물리적 방법- Sputter Etching
2. 화학적 방법 – Plasma Etching
3. 물리, 화학적 방법- RIE (Reactive Ion Etching) 습식에칭(review)
건식에칭
ICP- RIE 란?
ICP 원리
RIE 란?
시스템 구성
이방성 식각
ICP- RIE 의 식각 메커니즘
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Etching(식각)의 종류
습식 식각(Wet Etching)
Chemical을 사용하여 wafer의 표면을 액체-고체(liquid-solid) 화학반응에 의해 식각이 이루어지게 하는 에칭 공정, 주로 등방성 에칭
건식 식각(Dry Etching)
Chemical을 사용하지 않고 wafer 표면에의 이온 충격
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Etching ?
#. Wet etching?
- 기본과정
- SiO2 식각
- Si3N4 식각
- Si 식각
- Al 식각
-GaAs 식각
- Wet etching 장단점
#. Dry etching ?
- 기본과정
- 스퍼터 에칭
- 플라즈마 에칭
- RIE
- Dry etching 장단점
#. Wet etching vs Dry etching
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습식 패킹 과정에서는 모래를 넣을 때 일정 시약의 양을 넘지 않도록 주의를 해야 한다. 이유는 모래의 공기가 들어가지 않도록 하기 위한 것이다. 그리고 위 실험에서 점토로 패킹을 하기 때문에 flushing할 시 점토가 균열을 잃을 수 있기 때문
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DHF’, ‘Wet etching에 쓰이는 각종 솔루션’, ‘파티클 제거에 쓰이는 SC1, SC2’등 근로자의 환경과 안전에 악영향을 미칠 수 있는 많을 화학물질들을 사용하고 있습니다. 입사 후 위험물질에 관한 관리 및 취급법을 개선하여 구성원의 안전뿐만
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Etching 단위 공정 Engineer로써 단위 공정 Set up
및 공정불량 개선(SEM/FIB이용) , CI , 신규공법 적용 및 Max. Capa.활동
둘째 저는 반도체/LED 신규 장비에 대한 공정 Set up 경험이 많습니다.
① 반도체 200/300mm Cleaning 장비 (WET/Single)
② LED/MEMS 에서는
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