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다이오드는 “온” 상 태인가? 그림 7-7에 RL = 2.2 을 삽입하고 VL을 측정하라. RL(meas) = 2.17
(측정치) VL = 10.1 V
4) 발광-제너 다이오드 조합
a. 이 실험에서는 그림 7-8의 LED와 제너 다이오드를 “온”(good brightness)시키는데 필 요한 최소전압을 결정
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1학기 전자물리학 강의노트
안영화 외3명, 전자공학으로의 초대, 인터비젼
홍순관 외2명, PSpice와 함께 하는 기초 전자전기공학실험, 홍릉과학출판사
http://dyon.postech.ac.kr/Edulab/gen-phy2/exp9/exp9.html
http://user.chollian.net/~jackcom/study/hw/diode.htm
http://www.e
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실험을 반복한다.
Kirchhoff의 법칙 실험
멀티미터를 이용하여 각 저항에 걸리는 전압과 흐르는 전류를 측정한다.
이론값(키르히호프의 법칙으로 계산)과 측정값을 비교하여 본다.
5.실험결과
A. 다이오드 특성
① 순방향 바이어스 (Forward bias)
1
0.
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1,2,3방법에 의한 다이오드 특성곡선을 각기 다른색으로 그린다.
11. 와 에 대한 순바이어스 특성곡선의 선형부분 중에 있는 2점을 사용하여 다이오드의 벌크 저항 를계산한다. 공식에 대입하여 를 구한다.
☞실험시간에 측정뒤 마무리 하겠습
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전압이 변화할 것이다.그러나 그 크기는 매우 작을 것이다.그림 1)은 전류 변하 △I에 상응하여 제너 전압이 △V만큼 변화하며 이들 사이에는 다음과 같은 관계가 있다는 것을 보여준다.
△V=△I
그림2) 항복 영역에서의 다이오드 i-v 특성
4.실험
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실험은 단상반파정류회로 실험으로써 저항부하만을 가질 때 출력전압과 다이오드 전압의 특성을 확인하는 실험이었다. 다이오드가 도통될 때 출력전압이 나타나고 역 바이어스 일 때는 전압이 0이 됨을 확인 할 수 있었다. 다이오드전압의
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Diode와 LED의 특성 곡선을 알아보는 실험을 했다. p형 반도체의 정공과 n형 반도체의 전자 때문에 생겨나는 문턱 전압을 알아보았다. Diode의 문턱전압은 0.6V로 알려져 있고 LED의 문턱전압은 1.8V로 알려져 있는데 실험에서 Diode는 0.736V가 나오고 LE
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실험에서 capacitor를 설치하면 capacitor의 충/방전에 의해 전압이 급격이 변하지 않는 결과가 나왔다. 정류된 파형이 그래프가 직선에 가까워졌다. 즉 리플전압이 작아진다. 많은 수의 capacitor를 설치하면 더욱 직선에 가까워진다. 1. 실험의
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P형인 콜렉터로 흘러 외부 전원의 (-)극으로 들어간다. 에미터-콜렉터간은 직렬로 된 EB간 전압과 CB간 전압에 의해 연결된다. 실험일자
실험제목
실험목적
관련이론
실험기기 및 부품
실험방법
실험결과
토의
참고문헌
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. [그림 12]에 나타낸 모든 파형은 구형파이지만, 클램핑회로는 입력이 정현파신호일 때도 똑같이 동작을 한다. 실제로 정현파 입력을 갖는 클램핑회로를 해석할 때 정현파 신호를 같은 피크값의 구형파로 대치한다.
예상실험 결과
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