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◆다이오드, 광전 효과 및 발광 다이오드
◆초전도체
◆ 저온 초전도체 합금
◆초전도체 이론(쿠퍼쌍)
◆고온 초전도체
◆이온성 결정의 결합
◆고체의 불완전성
◆빈자리와 자체 틈새
◆치환
◆어긋나기
◆규산염
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실험순서
1)그림 2-4의 제너 안정기 회로를 구성한다.
2)를 최소로 하고 를 7[V]로 한 후 스위치 S를 닫는다.
3)을 측정하고 식 , , 룰 이용하여 표2-1
을 작성한다.
4)값을 변화시켜서 실험방법 3번을 반복한다.
5) = 200 으로 하고 실험방법 2번, 3번을
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다이오드는 전력 공급기의 정류 부분을 담당한다.
실험방법
실험1 sine파 정류하기
Sine파 정류에 대해서 실험한다.
Voltage sensor 2개를 이용하여 2Hz, 3V 전압을 주어 실험한다.
1N-4007 diode 에 1k옴 저항을 연결하여 실험
1N-4007 diode 를 LED로 대체
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[ERROR : 10731] 오류 발생.
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153-156, 160-161.
Adel S. SedraKenneth C. Smith, 『Microelectronic Circuit』(번역판), 한티미디어, 2005, p186, 188.
위키 백과사전, 검색어|제너 다이오드,
http://ko.wikipedia.org/wiki/%EC%A0%9C%EB%84%88_%EB%8B%A4%EC%9D%B4%EC%98%A4%EB%93%9C
네이버 백과사전, 검색어|정전압다이오드,
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1. 실험제목
N-Channel MOSFET 전류/전압 특성 측정
2. 실험목적
N-Channel MOSFET을 기판에 납땜하고, 그를 이용하여 N-Channel MOSFET의 전류/전압특성을 측정한다.
3. 실험장치
- FDC6329L (MOSFET 소자)
- Function Generator, Power Supply
- Oscilloscope
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1200Ω 그리고 1800Ω에 대한 부하 전류 을 계산한다. 계산된 값들은 표 8.1의 의 계산값 아래에 기록하라.
5. 참고자료
- 기초전기전자공학실험 / 대한전자공학회 / 2006년 / 공학사 / 실험31. OP Amp 특성 실험
6. 시뮬레이션
실험 책 page 117 에 그림 8.4
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반도체이지만, 다이오드는 특히 이와 같은 한쪽 방향으로만 전류가 흐르도록 하는 것을 목적으로 하고 있다. 1.실험목적
2.이론
3.다이오드 특성 곡선
4.Si 와 Ge 다이오드 특성
5.다이오드 특성
6.다이오드의 AC 저항
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ttp://dwseo.ddc.ac.kr/elec-circuit/elect-circuit-chap3.PDF
http://www.sewoon.com/elect_data/information/diode.html
http://ko.wikipedia.org/wiki/%EC%A0%9C%EB%84%88_%EB%8B%A4%EC%9D%B4%EC%98%A4%EB%93%9C 실험목적
실험장비
장비설명
Refer-ence
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다이오드 마다 문턱 전압(진동수)이(가) 달라서, 그에 전압이 비례한다.
제일 문턱진동수가 높은 초록색 LED의 전압이 가장 높고, 그 다음으로 노란색 LED, 빨간색 LED의 문턱 전압이 제일 낮아 전압이 낮다. 1.실험 목적 및 배경이론
1)실험 목
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