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15, 47을 썼다. 파형을 보면 인가전압에 비해 0.66~0.68정도로 작아지는 것을 볼 수 있는데 이는 0.707로 작아져야하는 이론값을 봤을 때 만족할만한 결과를 얻을 수 없었다. BPF는 맨 처음 저항값을 저항식에서 구한 890에 33, 39으로 실험하였는데 오
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실험결과
실험 1. Transistor 특성 곡선
일 때 컬렉터는 역방향 바이어스가 아니므로 컬렉터 전류는 0이 된다. 를 약간 증가시키면 컬렉터 전류 는 급속히 증가하며, 특성 곡선 중 원점 부근의 직선부분을 포화 영역이라 하고, 이 영역에서 는 0.7V
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1.031 V
R
2.45×10-4 kΩ cm2
A
0.03 V
m
2.11×10-5 V
n
8×10-3 cm2mA-1
- 성능식을 이용하여 전압을 구한다.
- I-V 그래프를 작성한다.
- 전류 값은 20~1280까지 20씩 증가하도록 값을 정의한다.
7) 아래의 성능식을 이용하여 실험에서 얻어진 전류 전압곡선을 Fitting
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전압 Vr을 역방향 전압 또는 역전압, 전류 Ir을 역방향 전류 또는 역전류라 한다.
- 역방향 전압 Vr을 크게하면 항복 현상(breakdown)이 일어나 대전류가 흐른다
(3) 특성곡선 목차
1. 다이오드란?
2. 다이오드의 원리
(1)바이어스
① 순
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1) 오실로스코프
(2) 함수발생기
(3) 가변전원공급기
(4) 멀티테스터
3. 실 험 이 론
(1) 오실로스코프
(2) 함수발생기
(3) 가변전원공급기
(4) 멀티테스터
(5) 저항 Color Code
4. 실 험 방 법
5. 실 험 분 석
(1) 멀티테스터 계측 실험에 대한
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전압이득 Av
측정 값
전압이득 Av
시뮬레이션
전압이득 Av
이론계산
공통 베이스 증폭기
1.035V
5.245V
5.067
5.1
5.07
3 Post-Lab(실험 후 과정): 고찰 사항
1. BJT 전류-전압 특성 곡선 실험을 Pre-Lab(4절)에서 MultiSim으로 시뮬레이션한 데이터와 In-Lab(5절)에서
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실험에서 사용되는 공통 드레인 증폭기 같은 경우에는 출력단이 가 아닌 로서 입력단의 증가에 따른 출력단의 증가를 예상해 볼 수 있었다. 이는 공통 콜렉터 증폭기와 비슷한 특징을 가지는 회로로써 위상차가 없는 것과 함께 전압이득이 1
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전압 =1.46V이고 예비보고사항에서 작성한 핀치 오프 전압 =0.768V와 비교해보면 0.7V 정도 차이가 있었음을 알 수 있다.
2.2.4 검토 사항
앞에서 했던 실험과 마찬가지로 예상했던 결과와는 약간 차이가 있었음을 알 수 있다. MOSFET의 특성상 열에 약
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전압을 증가시키면 온도가 올라가서 저항이 감소하는 경향이 있다. 이는 반도체의 성질과 유사하다. 따라서 연필은 반도체의 성질을 지니고 있다고 할 수도 있다.
3. 실험에서 보면 알 수 있듯이 HB보다 2B의 실험 결과가 더 반도체적 경향이 뚜
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전압이 변화한 경우, LED의 전압은 거의 일정하기 때문에 직렬저항 양단의 전압만 변화하게 되어 변화된 전압에 비례하는 만큼 전류가 변화하여LED의 밝기를 조절할 수 있게된다.
*LED(light emitting diode)의 구조와 각부분의 명칭
1. Chip
2. Lead frame
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