|
일반물리학 - 임피던스 측정
목차
1. 서론
2. 임피던스의 이론적 배경
3. 실험 장치 및 방법
4. 실험 결과 및 분석
5. 고찰
6. 결론
일반물리학 - 임피던스 측정
1. 서론
임피던스는 교류 전기 회로에서 매우 중요한 개념으
|
|
|
학점A+) 물리학실험, 교류실험
목차
1. 실험명
2. 실험목적
3. 실험도구
4. 실험이론
5. 실험방법
6. 측정결과
7. 오차 분석
8. 고찰 사항
9. 참고 문헌
1. 실험명
이번 실험의 명칭은 '교류 회로에서의 임피던스 측정'이다. 이
|
|
|
측정하여 사용한다.
⑩ 캐패시터를 0.22uF로 바꾸고 위의 실험과정을 반복한다. 다만 ⑤와⑥은 반복하지 않는다.
커패시터
Xc(계산)
Vr
Vc
I[mA]
Z(이론값)
Z(실험값)
Vs
0.47uF
0.22uF
RC 직렬회로의 특성
<그림 6.12>RC회로의 위상차의 측정
5. PSspice 시
|
|
|
일반물리학실험 - RLC 회로 실험 (교류회로)
목차
1. 측정값 및 계산
2. 결과 및 토의
(1) 오차원인
(2) 오차해결방안
1. 측정값 및 계산
RLC 회로 실험에서의 측정값 및 계산은 회로의 주파수 응답과 임피던스, 위상 변화를 이해하
|
|
|
측정을 통해 회로의 동적 특성을 분석하였다. 실험에 사용된 장비는 오실로스코프, 함수 발생기, 저항기, 인덕터, 캐패시터 등이었다. 처음에 회로를 구성하여 정해진 주파수에서의 전압과 전류를 측정하고, 이를 통해 임피던스를 계산하였다
|
|
|
실험에 사용된 회로는 저항, 인덕터, 커패시터가 직렬로 연결된 구조로 구성되었다. 입력 전압의 주파수를 조절하면서 회로의 반응을 분석하였다. 교류 신호를 입력으로 사용하고 주파수를 변화시켜 회로의 임피던스, 전류, 전압을 측정하였
|
|
|
회로를 설계하는 과정을 다루었다. 실험에서는 n채널 MOSFET을 이용하여 기본적인 공통 소스 증폭 회로를 구성하였다. 증폭기로 사용되는 MOSFET의 게이트에 입력 신호를 가하고, 드레인에서 출력 신호를 측정하였다. 이 과정에서 MOSFET의 Vgs, Vds,
|
|
|
실험을 진행했다. 커패시터의 값으로는 1μF, 10μF, 100μF 등을 선택하였다. 이러한 다양한 조합을 통해 RLC 회로의 공진 주파수, 임피던스, 전류 및 전압의 위상을 관찰하고 측정하였다. 실험 중 가장 먼저 고주파 신호에 대한 반응을 측정했다.
|
|
|
회로의 전압과 전류를 측정하였다. 측정은 주파수를 10Hz 단위로 증가시키며 진행되었고, 각 주파수에 대한 전압과 전류의 진폭을 오실로스코프를 이용하여 관찰하고 기록하였다. 실험 결과, 주파수가 증가함에 따라 회로의 임피던스가 변화&n
|
|
|
변화시키며 빈도에 따른 회로의 임피던스 변화를 기록했다. 측정된 임피던스는 주파수의 증가에 따라 변화하며, 이는 유도성과 커패시턴스의 영향을 명확히 보여주었다. 높은 주파수에서는 인덕터 1. 실험 결과
2. EXERCISES
3. 고찰
|
|
메뉴펼치기
