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소비 전력이 적어서 손목 시계 또는 휴대용 전자계산기
등과 같은 제품에서 널리 사용되고 있다. 개요
MOSFET
CMOS 회로
나노 CMOS 소자
초박형 MOSFET
Band-Engineered Transistor
수직 트랜지스터
쌍 게이트 트랜지스터
FinFET
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게이트 군에서 사용된다. 토템-폴 출력TTL 에서의 Q2의 이미터 저항이 schottky TTL에서는 트랜지스터 Q6와 2개의 저항으로 구성된 회로로 대신 되었다. 이 회로는 앞에서 논의되었던 차단전류의 스파이크를 감소시키기 위한 것이다. 전파시간을 줄
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게이트 사용시 버튼을 세게 누르면 고정된 위치가 이동하므로 주의한다.
3. 추를 달아 실험하는 뉴턴의 제2법칙 실험의 경우 활차가 튕겨나가지 않도록 주의한다.
4. 완전 비탄성 충돌 실험의 경우 질량인 활차와 질량인 활차가 충돌 후 서로
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게이트 사용시 버튼을 세게 누르면 고정된 위치가 이동하므로 주의한다.
3. 추를 달아 실험하는 뉴턴의 제2법칙 실험의 경우 활차가 튕겨나가지 않도록 주의한다.
4. 완전 비탄성 충돌 실험의 경우 질량인 활차와 질량인 활차가 충돌 후 서로
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gate)를 통과한 활차의 속력을 비교함으로써, 이 운동을 분석할 수 있었다. 비록 뉴턴의 1법칙과 2법칙만을 실험하여 다른 실험을 할 수 없었지만 결과적으로 보았을 때 다른 실험도 위의 실험과 비슷하게 측정될 것으로 예상된다.
현대물리 실
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