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메모리 6
③ 1980년대: DRAM 6
④ 1990년대: NAND 플래시 메모리 6
⑤ 2000년대: SSD 6
⑥ 2010년대: 3D NAND 플래시 메모리 및 휘발성 메모리 MRAM(Magnetic Random Access Memory) 7
2. 가상현실, 증강현실, 메타버스 등의 응용에 사용하기 위한 입출력 장치 7
(가)
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2. RAM(Random Access Memory)
3. ROM(Read Only Memory)
4. ROM BIOS
◈ 보조 기억 장치란?
◈ 보조 기억 장치의 종류
◈ 플로피 디스크 드라이브(Flopy Disk Drive)
◈ 하드 디스크(HDD:Hard Disk Drive)
◈ 광학 저장 장치(ODD:Optical Disk Drive)
◈ 캐쉬메모리란?
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random access memory, 2013, pp21-25.
[2] Geun-Young Yeom, Etching of COFeB usig CO/NH3 in an Inductively Coupled Plasma etching system(Journal of The Electrochemical Society 158(1) H2 2011)
[3] Etching of CoFeB Using CO/NH3 in an Inductively Coupled Plasma Etching System, Jong-Yoon Park외 5인, Journ
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연구원 산업경제분석“한국 반도체산업의 상계관세 분쟁사례연구”
■ 산업자원부 공보실 보도발표자료
■ WTO. 2005. United States - Countervailing Duty Investigation on Dynamic Random Memory Semiconductors (DRAMs) from Korea. Did the ITC properly assess the price effects of sub
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D RAM
동적 램(dynamic random access memory) 또는 DRAM은 임의 접근 기억 장치(Random Access Memory)의 한 종류로 정보를 구성하는 개개의 bit를 각기 분리된 축전기(Capacitor)에 저장하는 기억 장치이다. 각각의 축전기가 담고 있는 전자의 수에 따라 비트의 1
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Random Access Memory)
-내용을 읽거나 기억시킬 수 있으나,
전원이 차단되면 기억 내용이 모두 없어진다.
-주기억소자로는 DRAM, 캐시 메모리에는 SRAM이 사용
-ROM(Read Only Memory)
-자료를 읽어 내기만 하는 기억장치로서 기억 내용의
변경이 불가능하
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5
① 3D NAND 플래시 메모리 (3D NAND Flash Memory) 6
② MRAM (Magnetic Random Access Memory) 6
③ ReRAM (Resistive Random Access Memory) 6
2. 가상현실, 증강현실, 메타버스 등의 응용 7
(1) 장치의 명칭, 장치의 용도 및 입출력 장치 7
(2) QR코드 만들기 8
참고 문헌 9
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연구\', 한국통신학회지 제14권 11호, 1997년 11월.
J. Mikkonen, C. Corrado, C. Evci, M. Progler, “Emerging Wireless Broadband Networks\", IEEE Communications Magazine, vol. 36, no. 2, pp. 112 ~ 117, Feb. 1998.
N. Passas, S. Paskalis, D. Vali, and L. Merakos, “Quality-of-Service-Oriented Medium Acces
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1.메모리 종류
1)RAM(RANDOM ACCESS MEMORY) 휘발성.전원이 없으면 내용이 사라짐
-메모리 열에서 어떤 열도 데이터 접근 명령어의 차례에 관계없이 고를 수 있다는 뜻.
2)ROM(READ ONLY MEMORY)전원이 없어도 내용 저장 예)CMOS BIOS
2.PC에 쓰는 램
1)주기억
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N0=1 IN1=X일 때]
WR0=1 WR=0 IN0=1 IN1=X 일 때 0bit입력을 받아 0이 저장 되고 출력은 0(0V)이 출력된다.
2 bit RAM
[WR0=0 WR=1 In0=X In1=1일 때]
WR0=0 WR=1 IN0=X IN1=1일 때 1bit입력을 받아 1이 저장되고, 출력은 1(5V)이 출력 된다.
2 bit RAM
A1, A2, A3, A4에 의해 주소가
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