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논문 1건

[논문] ReRAM & 비휘발성 메모리
측정하여 스위칭 발생 여부를 정리하였다. Oxygen rate AS 400℃ 500℃ 600℃ 700℃ 0% × × × ○ × 1% × × × × × 2% × × × × × 4% × × × × ○ 6% △ × × × × 3. 실험 결과 및 분석 대부분의 시료에서 ReRAM의 특성이 보지는 못하였다. 그러나 혼합기체의 대
ReRAM|비휘발성 메모리|memory|PRAM|PoRAM|MRAM|supper, ReRAM & 비휘발성 메모리,
  • 페이지 13페이지
  • 가격 2,000원
  • 발행일 2009.06.15
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 발행기관
  • 저자
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