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전자 공학 - 이정한
반도체 (공정 및 측정) - 전자자료사 편집부
박막 프로세스의 기초 - 금원찬 외 공저
박막공학의 기초 - 최시영 외 공저
재료과학 - Barrett 외 1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 방법
4. 실험 이론
5. 참고 문헌
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두께 측정
● 측정방식에 따른 분류
● 측정의 어려움
2. 반도체 공정중 Oxidation 사용분야
● Oxidation(산화막 성장)
● 실리콘 산화막의 용도
● 반도체 공정
● 열 산화의 장점
● 건식산화의 장점과 단점
● 습식산화의 장점과 단점
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실험을 하였다. 실험 이론과 실험과정, 실험결과를 통해 MOS capacitor의 두께가 감소하면 Capacitance가 증가하고, 누설전류는 증가하였다.
이것이 의미하는 것은 더 좋은 성능의 MOS capacitor를 제작하기 위해서는 유전율이 큰 산화물재료를 사용해
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산화막으로 많은 연구가 수행되고 있다.
3. REFERENCE
http://optics.hanyang.ac.kr/~shsong/hitechphysics-note/plasma/17.htm
http://www.postech.ac.kr/ce/lamp/
http://mse.hanyang.ac.kr/ulsi/
http://www.law.hanyang.ac.kr/~hjeon/members.htm 1. 반도체 공정에서 산화실험이 필요한 이유
2.
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재료실험 자료
권용재, 김경훈, 임창성, 심광보, <착체중합법을 이용한 ZnO 나노분말의 저온합성>, 한국결정성장학회지, 제 12권 제 5호, 2002년 10월, p 229-233
http://blog.naver.com/luckyjaemin
네이버 지식백과(terms.naver.com) 1. 실험목적
2. 이론적
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