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전자전기컴퓨터공학 분야에서 혁신적인 기술과 솔루션을 개발하는 데 도움이 될 것입니다. 특히, 임베디드 시스템과 집적회로의 분야에서의 전문 지식은 빠르게 발전하는 기술 환경에서의 경쟁력을 강화할 것입니다. 졸업 후의 진로 계획은
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실험 역량을 축적하고, 미래 통신 사회를 이끌어갈 실질적 연구자로 성장하고 싶습니다. 성균관대학교 정보통신대학원 전자전기컴퓨터학과 학업계획서(합격)
1.자신의 학문적 지향
2.진학동기 및 목표
3.미래의 연구계획
4.기타
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전자전기컴퓨터설계실험 - 실험 장비 사용법 및 RLC회로 분석
1. 실험장비 종류 및 사용법
2. RLC 회로 이론 및 분석
2-1. 소자에 대한 이론
2-2. 임피던스와 페이저
2-3. RL회로 분석
2-4. RC회로 분석
2-5. RLC회로 분석
3-1. 실험에 필요한 장
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.
실험 5장에서의 직류동작점 , 이미터 바이어스 가 참고 자료 였으나 참고를 하려 해도 반도체 물성과 소자, 전자회로 같은 수업을 듣지 않았기 때문에 전체적인 실험의 큰 맥락은 이해가 되질 않았다. 하지만 반도체, 트랜지스터를 구동시키
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부하선이 모든 가능한 IC와 VCE의 조합으로 구성되기 때문에 반드시 직류부하선상에 놓여 있어야 한다.
결 론
이 실험에서는 전압 분배 바이어스된 회로에서의 전압과 전류를 확인하고 회로에 대한 직류부하선을 작성하였다. 더불어 바이어스
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전자/컴퓨터
응시자격
- 경력 2년 이상자 (석사기준, 학사의 경우,4년 이상 경력자)
- 석사 이상의 학위 소지자)
- 토익 600점 이상 어학성적 소지자(TEPS 502,TOEFL 177,G-TELP level2 60점 이상)
- 병역 필 및 면제자(전문연구요원 전직 가능자는 지원 가능)
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하라.
결 론
이 실험에서는 위상편이가 없는 소신호 공통콜렉터 증폭기 또는 이미터폴로워의 동작과 특성을 설명하였다. 여기서 입력신호는 트랜지스터의 베이스단자에 가해지는 반면에 출력신호는 이미터단자에서 얻는다. 이 실험에서는
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메터
측 정 값
V0 (rms)
4.857 [V]
파라메터
계 산 값
P0 (rms)
10.978 [mW]
Pdc
0.04459 [W]
%
16.05 % // Vm p-p 최대% = 20.38 %
○ 실험 25의 데이터 - 오실로스코프
실험단계 5 : 가변저항을 꼽은 후
채널 1 (Input) : 10mV / DIV
Vp-p = 30 mV
채널 2 (Output) : 1V / DIV
Vp-p = 2.5 V
시
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.8827 [Ω]
30.12 [Ω]
14.0 %
파라미터
값
IE
0.83 [mA]
re
30.12 [Ω]
출력
VIN
VOUT
이득(측정값)
이득(기대값)
%오차
1kΩ
26 [mV]
364 [mV]
17.7656
16.6
7.0 %
None
32 [mV]
769 [mV]
34.7538
33.2
4.6 %
470Ω
28 [mV]
236 [mV]
10.8308
10.62
1.9 %
○ 실험 16의 데이터 - 오실로 스코프
[1kΩ
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회로에서와 같이 빠르게 eh는 크게 변화하지 않음을 알수 있다.
6. 이 실험의 공식(식 5와 6)으로 이 회로에 대한 직류부하선상의 포화점와 차단점을 구하라.
7. 다른 2N3904 트랜지스터를 사용하여 단RP2에서 5까지 반복한다.
결 론
이 실험에서는
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