|
실험 5장에서의 직류동작점 , 이미터 바이어스 가 참고 자료 였으나 참고를 하려 해도 반도체 물성과 소자, 전자회로 같은 수업을 듣지 않았기 때문에 전체적인 실험의 큰 맥락은 이해가 되질 않았다. 하지만 반도체, 트랜지스터를 구동시키기
|
|
|
트랜지스터는 다른 Q점의 전압과 전류의 값을 갖는다는 것을 알 수 있을 것이다. 더불어 직류 전류 이득에 차이가 있음을 알 수 있을 것이다.
결 론
이 실험에서는 두 개의 전원을 사용한 이미터 바이어스된 회로에서의 전압과 전류를 확인하
|
|
|
바이어스되므로 VCE는0이다)
5. 그림 1의 회로에서 차단상태에 대한 컬렉터-이미터 전압은?
(a) 6V (b) 8V (c) 15V (d) 23V
⇒ 회로에서 컬렉터-이미터 전압 VCE(off)=Vcc+|VEE|=15V+8V=23V가 된다
(2개의 다이오드 모두 역방향 바이어스되므로 IC는0이다)
|
|
|
트렌지스터 라는 것에 대하여 알게 되었고 증폭률과 이미터, 콜렉터, 베이스의 의미와 각 특성 회로, 바이어스 등의 계념을 새울 수 있었다. 그런데 마지막 실험이 마음에 걸린다. 다음 실험 부터는 실험 시행 전에 조교님의 조언이라든가 실
|
|
|
트랜지스터
(2) NPN트랜지스터
(3) 전류 증폭률
(4) PNP트랜지스터
(5) 트랜지스터의 동작 원리
(6) 트랜지스터의 전압-전류 특성
(7) BJT 기본 증폭기
(8) 온도의존성
(9) 이미터 안정화 저항
(10) 고정바이어스
(11) 전압분배 바이어스
(12) BJT 실
|
|
메뉴펼치기
