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-1 국내 나노기술의 동향
2-2 국외
2-3 국내외 기술 수준 비교표
2-4 나노기술의 산업기술에 미치는 파급효과 분석
3 나노입자 분석 및 선정
3-1 나노입자의 모양
3-2 나노입자의 크기 및 물성치
4. 실험장치 설계 및 방법
4-1 실험장치 이론
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3EA
7442 1개, 7490 1개,
NE555P 1개
capacitor 및 콘덴서
1EA
1개
다이오드
14EA
발광다이오드 14개(LED)
저항
4EA
1개, 1개,
1개, 가변저항 1개
건전지
1EA
9V
※ 전체 시스템
※ 설계 시 사용 프로그램
① Ansoft사의 Ansoft designer tool
② Pspice 그림목차 ............
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Esp., pp.202-209, 1991
11. Satoshi Pgasawara and Hirofumi Akagi, 'An Approach to Position Sensorless Drive for Brushless DC Motors', IEEE Trans. Indus. Appli., vol.IA-27, no.5, pp.928-933, September/October 1991 1. 서론
2. BLDC 모터
3. 센서리스 구동
4. 실험
5. 결론
참고문헌
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-Time Embedded System for DC Motor Control," SAE 2005-02-0444, 2005.
E. A. Bretz, "By-Wire Cars Turn the Corner," IEEE SPECTRUM. April, pp. 1-3, 2004.
J. H. Nam, and J. W. Kim, "하이브리드 전기자동차용 배터리 ECU 설계 및 잔존용량 알고리즘에관한연구," KIPE 대한전력전자학회, pp. 31
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rding Length : 250K
Trigger Position : 40
Cycles : 5 10 5 25 5
2.3.2 실험 방법
[그림 1-3] 3차권선 실험 계통도 등가회로
[그림 2]는 사고전류제한기의 실험 계통도를 나타내었으며 [그림 3]는 이 계통을 등가회로로 나타내었다.
사고전류제한기의 특성을 알아
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3). 구조물 기초설계기준 해설. 서울: 구미서관.
홍원표. (1984). 수평력을 받는 말뚝. 대한토목학회지, 31(5), 32-36.
Ashour, M., Norris, G. and Pilling, P. (1999). Lateral loading of a pile in layered soil using the strain wedge model. J. of Geotechnical and Geoenvironmental Engineering,
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3. 실험 시 양손으로 두 물체를 잡고 대전시키기 때문에 양 손을 통해 방전이 될 수 있다.
오차 4. 실험 설계 조건3에서 대전물체의 가장자리에서 발생하는 전기력선의 휘어짐을 무시하였다.
이와 같은 설계 방법을 통해 정전기의 전압이 얼마
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실험을 통해서 경험한 것이 시사하는 바를 되짚어 보면서 앞으로의 연구에 타산지석으로 삼고자 한다.
참 고 문 헌
1) http://www.kmib.co.kr
2) (이구형. 1996)
3) 한국감성과학회지 1(1), 13~17, 1998.
4) www.naver.com
5) www.nate,com
6) www.yahoo.com
7) http://blog.nave
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-3. MRAM (Magnetoresistive random access memory)
1-4. FRAM
1-5. ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이용한 ReRAM 특성 구현
2. 실험 방법
1-1. R.F Magnetron Reactive Sputtering Deposition
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
3.
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- Stress curve at strain rate of 10-2/sec
Fig. 15. Strain - Stress curve at strain rate of 10-3/sec
Fig. 16. Strain - Stress curve at strain rate of 10-4/sec
(a)
(b)
(c)
(d)
(e)
(f)
Fig. 17. Comparison of ultimate tensile strength;
(a) Sn-40Bi-0.1Mn, (b) Sn-40Bi-0.2Mn,
(c) Sn-40Bi-0.1In, (d) Sn-40
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