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전자 하계 인턴쉽 과정을 마쳤으며, 2009년 lg전자 mc연구소에서의 4개월간의 연구소 경험도 가지고 있습니다. 학업에서는 무선설비 기사, 자기소개 [400자 이내]
장점 [200자 이내]
보완점 [200자 이내]
지원동기 및 포부 [500자 이내]
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자기소개 (400자 이내)
올바른 가치관 형성과 자기개발을 위하여, 다양한 활동과 학업적으로는 전기기술 함량에 많은 시간을 할애하였으며, 여가 시간에는 스마트 그리드에 대한 열정을 가지고, 공부하며 다양한 활동과 인턴과정을 통하여 많
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1. 자기소개 (400자 이내)
삼성전자가 저를 선택해야 하는 이유를 세가지만 들겠습니다. 첫째로, 저는 삼성전자 엔지니어가 되어야 겠다는 목표를 가지고 준비해 왔습니다. ‘TN 엔지니어가 되어야 겠다.’ 라는 꿈을 가지고 삼성전자를 향하여
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컴퓨터가 계산한 값은 아주 근사한 값을 가지고 있기 때문에 약간의 오차가 생긴 것 같다.
계획서 (1)의 (g)와 같이 구현된 센서의 출력을 non-inverting amplifier에 인가하고 입력(OP amp + 단)과 출력을 동시에 볼 수 있도록 장치 연결도를 그려서 제
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신호 x(t)를 샘플링하여 디지탈 데이타 열 로 변환하고 이것에 선형연산 을 하여 출력값 을 구하고 이것을 아날로그 값으로 변환한다. 회로는 A-D/D-A 변환부와 디지탈 연산부로 구성되며 이 연산부는 범용의 승산기, 컴퓨터, DSP 등이 이용된다.
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컴퓨터끼리 직접 연결하고 검색함으로써 모든 참여자가 공급자인 동시에 수요자가 되는 형태
Peer to peer 구현 방식 중앙 서버 존재 여부에 따라 구분
냅스터(Napster) : 중앙 서버에 의존하는 방식
대부분의 작업이 중앙 서버에서 처리되며,
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컴퓨터의 IP주소는 바로 클래스 C에 해당하는 것입니다.
·IP주소 유형(D, E클래스) 설명
·설명을 영상자료를 참조하여 듣는다.
·PPT 및 판서내용을 필기한다.
·TV화면에 집중한다.
·영상자료를 참조하면서 설명을 듣는다.
·수업도중 궁금한 내
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: 1개
저항 : 가변저항 1MΩ 2개, 100kΩ 2개, 10 kΩ 2개
3. 설계실습 계획서
3.1 Current-Steeing 회로 설계
3.1.1 V_DD=V_CC=10V일 때, 출력 전압 ( I )가 1mA가 되도록 <그림 10.1>과 같은 전류원을 설계하라. 이 때 MOSFET M_1, M_2로는 2N7000을 사용한다.
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계획서에 첨부하라. 여러 종류의 data sheet가 있을 것인데 가장 자세한 것을 선택하여 제출하라. 제출한 data sheet에는 본인이 설계할 때 선택한 값에 빨간색으로 표시를 하라. 모든 저항의 값은 5% 표준에서 선정하고 커패시터는 준비물 중에서
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supply) 1개
Oscilloscope(OSC) 1개
Diode : 1N914 또는 KDS160 1개
저항 : 100kΩ 10% 1개, 5kΩ 10% 1개
Capacitor : 1uF 1개
3. 설계실습 계획서
3.1 Cut-In 전압 아래로 파형이 나오는 Limiting Circuit을 설계하여 제출하여라. (R=5kΩ, V_i=5sinwt(V), f=1kHz 사용하라.)
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