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레포트를 홀로 작성해보고 또 그것에 대한 이론공부도 적당히 해야한다는 것을 절실하게 느겼다. 또 RL회로 주파수응답 실험에서 이론치와 측정치의 값이 너무도 크게 벌어져 한참을 헤매다가 우연히 파형발생기의 전압원 DC OFFSET 이 PULL ON에
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증폭기의 파형
- 위의 시뮬레이션은 조교님이 칠판에 주신 값을 토대로 Pspice를 돌려본 결과값입니다.
- 다음 사진은 (2)와 (3)에 대한 사진입니다.
그림과 같이 왼쪽 사진은 Bypass Capacitor가 있을 때의 회로이며, 오른쪽은 Bypass Capacitor가 있을
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회로에 많이 이용되며 MOS형 FET는 주로 마이크로컴퓨터 등의 디지탈 IC에 사용되고 있다. GaAs형 FET는 위성방송 수신 등의 마이크로파의 증폭에 사용된다.
※MOS
Metal Oxide Semiconductor의 약어로 그 구조가 금속(Metal), 실리콘 산화막(Oxide), 반도체(Semi
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회로에서 복잡한 전자시스템의 각 부분에 이르기까지 필수적이다. 직류 전원 공급장치는 벽의 콘센트에서 220V, 60Hz의 표준 교류전압을 일정한 직류전압으로 바꾸어 주는 장치로 가장 흔히 볼 수 있는 전기회로의 하나이다. 전원공급장치에 의
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결과를 나타내는 것을 확인하였고 그것을 통한 분석과 다른 조원의 도움으로 실험을 분석하였다.
1. 제목
1) 실험1. A급 음성 증폭기
2) 실험2: 푸시풀 전력 증폭기
2. PSPICE Simulation
1) 실험1
회로의 전류(111mA)
스피커 전압(885mV)
분석 : 회로의 전
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결과
C. 결과값 비교
- 실제 실험에서 R2가 20k이었던 사실을 감안하면 이론과 결과값이 근사하다. C쪽에 저항을 없애고 전압원을 고정함으로 컬렉터 전류를 순수히 측정하는 실험이었는데, 예상했던 전류이득에 1/10밖에 못 미치는 결과가 나왔
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회로의 부하로부터(3)입력회로에서 이고 이 식들을 식 (1)에 대입하면
(4) 증폭기의 입력 저항은 을 가정하면(5)저항 Ri 는 트랜지스터만의 에 비해 상당히 크다.
전류 이득은 부하 전류로부터 구해진다.(6), (7)전압 이득은 식 (5)에서 구한 와 함
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결과를 이용하여 빨대로 불어주어서 올라간 온도는 얼마인지 계산하여라.
- 의 전압이 0V 이므로 이다. 따라서 654.3mV - 648.0mV = 6.3mV 이므로
약 증가했다.
증폭기로서의 BJT
그림 4.5의 회로는 베이스-전류와 베이스-전압 바이어싱의 조합으로 좋
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증폭기의 입력전압과 출력전압을 측정한 다음 출력값 을 입력 값 으로 나누어 전압이득을 구하였다.
- 에미터 접지 증폭기는 전류나 전력이득은 있지만 전압이득은 거의 1이고 입력 임피던스는 높고 출력 임피던스는 낮은 회로이다. VR을 조정
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결과물을 검사하면서
평가한다.
4. 모르는 부분에 대한 질문을 받고
정리해 준다.
5. 다음시간 수업안내
1) 단안정 멀티바이브레이터에 대해
간단히 설명한다.
1. 선생님의 질문에 대하여 대답한다.
2. 질문사항이 있으면 질문한다.
3. 의문점
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