|
회로 내부에서 발생하는 저항에서 발생한 것이다.
6 ) 문턱전압
이론 개요에서 정의한 것처럼 각 다이오드의 점화 전위(문턱 전압)를 특성곡선 그림으로부터 결정하라. 그림2-5에 근사화한 직선을 보여라.
(Si) = 0.63V
(Ge) = 0.3V
실험결과
1. 역방향
|
|
|
실험결과
1) 실험 1 : Passive Low Pass Filter
≪ 표 - 그림 파일 ≫
≪ 그 래 프 ≫
≪ 그 래 프 ≫ ≪ 그 래 프 ≫
수동소자의 차단주파수가 계산값과 측정값이 다른 이유
≪ 그 림 ≫ ≪ 그 림 ≫
≪ 그 래 프 ≫
|
|
|
다이오드의 정류 기능을 알아보았다. 정류 회로는 다이오드가 ‘순방향 바이어스 전압’이 걸렸을 때에만 전류를 흘려주는 특징을 이용한 것이다. 요약문
실험내용
실험결과
문제점 및 애로사항
설계프로젝트 진행사항
결론
|
|
|
전자가 들어가는 끝인 Drain(그러므로 전류의 방향: Drain -> Source), 마지막으로 P형 영역인 Gate로 이루어지며 이 단자들은 각각 BJT의 Emitter, Collector, Base와 연관지어 비교할 수 있다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실
|
|
|
다이오드는 단방향적 특성을 가지므로 양방향 전류를 단방향 전류로 변환하는 정류(Rectification) 작용에
다이오드가 응용된다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실험방법 및 유의사항 4
참고문헌 5
(별지) 측정 Datash
|
|
|
클램핑 회로가 파형에 어떠한 영향을 주는지 다이오드와 저항, 커패시터 그리고 건전지를 이용한 회로를 만들어 커패시터에 걸리는 전압과 출력 전압의 측정을 통해 확인 요약문 1
실험내용 1
실험결과 5
문제점 및 애로사항 8
설계프로
|
|
|
실험결과분석 : 555timer를 이용하여 PWM 파형을 볼 수 있었던 실험이였다.
이 실험은 주기와 Duty Ratio, 캐패시터만 설정하면 회로에 쓰이는 R_a,R_b를 계산식으로 구할 수 있다. 실험을 하면서 설정한 값들은 다음과 같다.
≪ … 중 략 … ≫
|
|
|
각각의 고장이 회로에 어떠한 영향을 끼칠지 설명해 보라(어떤 고장은 아무 영향을 끼치지 않을 수도 있다). 예측에 자신이 없다면 모의 고장을 발생시켜 결과를 테스트해 보자. ○ 실험 목표
○ 사용 부품
○ 관련 이론
○ 실험 순서
|
|
|
실험을 하여 실험 도중에 다시 처음으로 돌아가 다시 실험하는 사태가 벌어졌다. 실험 시간이 촉박하여 모든 인원이 하나의 실험을 하였으며, 총 같은 데이터를 사용하여 결과 보고서를 작성하게 되었다. 실험목적
실험원리
실험기구
|
|
|
실험 결과
a. 직렬회로
0.5
0.148
0.149
0.182
0.225
1.0
0.273
0.276
0.336
0.416
1.5
0.420
0.424
0.516
0.639
2.0
0.549
0.556
0.675
0.837
2.5
0.686
0.693
0.842
1.044
3.0
0.802
0.811
0.986
1.222
3.5
0.940
0.949
1.153
1.429
4.0
1.074
1.073
1.321
1.637
4.5
1.220
1.232
1.498
1.856
5.0
1.342
1.358
1.649
2.04
|
|
메뉴펼치기
