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1. 실험 개요
- [실험11]과 [실험 12]에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 소오스 증폭기와 소오스 팔로워를 실험하였다. 이번에는 나머지 기본 증폭기 구조인 공통 게이트 증폭기에 대한 실험을 진행한다. 공통 게이트
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실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 1.실험개요
2. 실험 기자재 및 부품
3. 배경 이론
4. 실험 절자 및 Pspice simulation
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1. 실험 개요
- 트랜지스터를 이용한 능동 부하의 경우 저항 부하에 비해서 공정에 대한 변화량이 적고, 정확한 저항을 위한 추가 비용이 들지 않는다는 장점이 있다. 이 실험에서는 능동 부하를 사용한 차동 증폭기(differential amplifier)를 구성
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실험을 통해서 다시 한 번 실험에서 예비리포트의 중요성을 확인할 수 있었습니다. 그리고 왜 실험하기 전 실험에서 사용하는 칩의 data sheet를 확인하는 일이 중요한지도 깨달게 되었습니다.
항상 느끼는 점이지만 정말 전자회로 실험을 통해
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리포트를 쓰려고 실험 결과를 보았을 때 다시금 “내가 오늘 한 게 뭘까?” 라는 생각이 들었습니다.
특성곡선을 그려보았습니다. 정말 조교님 말대로 자료가 부족해서 멋진(?) 라인이 나오질 않았습니다. 50번은 찍어야 하다고 하셨을 때 이유
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멀리 잡혀있어서 position의 몇 바퀴나 돌려서야 파형을 찾을 수 있었습니다.
우여곡절 끝에 실험을 마쳤고 실험에 중요한 점 (기본 실험실기기 작동법과 만능기판에 회로구현 마지막으로 예비리포트의 중요성)을 다시한번 느꼈습니다.
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실험순서
(가변저항값이 100㏀일때의 신호값)
(가변저항값이 80㏀일때의 신호값)
(가변저항값이 50㏀일때의 신호값)
(가변저항값이 10㏀일때의 신호값)
∴ 저항값이 작아질수록 증폭이 더 크게됨을 볼 수 있다.
<Slew Rates>
☆ 실험목적
연산
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예비실험): 검토 및 느낀점
이번 실험을 통해서 MOSEFT의 특성에 대해 알아보았다. 이번 실험으로 와 의 전압-전류 특성도 알 수 있었고, 문턱전압이라는 가 무었을 의미하는지도 알게 되었다. 아직 전자회로 이론 시간에 배우지 않은 내용이라
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회로간의 각점간의 전압을 측정하라
3) 각 loop에 대한 KVL식을 세워라
4) 3)에서 세운 2개의 KVL식에 2)에서 얻은 측정값들을 대입하여 KVL 등식이 성립하는지 확인하시오.
※ reference
-「기초회로실험」; 출판사-희중당, 저자-이병기
-「전기전자
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저항이 10MΩ으로 높아져도 부하 변동률 와 부하 전압의 변화는 없었다.
100Ω
1KΩ
10KΩ
100KΩ
1MΩ
10MΩ
1.05V
2.95V
2.97V
2.97V
2.97V
2.97V
0.175
0.492
0.495
0.495
0.495
0.495 1. 실험 목적
2. 이론적 배경
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
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