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이미터 접합을 순방향 바이어스해주는 보상다이오드를 붙여 줌으로써
(b) 직류공급전압을 증가시킴으로써
(c) 위의 둘 모두를 해줌으로써
⇒ 이와 같은 Crossover Distorsion(교차 일그러짐)의 제거 방법은 AB급 증폭기의 두 개의 다이오드의 사용과
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커패시터까지 제거한 후 전압을 측정하고 계산해봤더니 은 약 622.7Ω이 나왔다. 전자회로실험 예비보고서
8장. 베이스 접지 증폭기 및
이미터 폴로워 회로
1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
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실험 강의 자료에 있는 실험 방법에만 만족하지 않고 더 나아가 다른 실험도 추가적으로 해보는 자세를 갖도록 해야겠다. 전자회로실험 결과보고서
8장. 베이스 접지 증폭기 및
이미터 폴로워 회로
1. 사용 장비 및 부품
2. 실험 방법 및
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실험 회로 7-1에서 =150일 때 =1mA가 되도록 저항 값을 결정하라. 단 =5V, =2V, =2kΩ가 되도록 하라.
에서 위 조건에 맞춰 를 구하면 =5kΩ이다. 6장 실험에서 사용한 저항 분할 바이어스 회로에서 컬렉터전류와 이미터전류는 거의 비슷하므로 =1mA이고
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표지 양식
년도-학기
2020 년 2학기
과목명
전자회로실험
LAB번호
제목
1
소신호 공통 이미터 증폭기
실험 일자
2020년 10 월 14일
제출자 이름
제출자 학번
Chapter 1. 관련 이론
1.NPN BJT 소신호 증폭기의 종류
- 공통 이미터 증폭기
이미터가 신호 접지
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증폭기의 성능을 좋게 하기 위해서는 우선 증폭기에 인가된 바이어스를 DC분석할 때에 VCEQ와 ICQ값을 구할 수 있게 되고 이 값이 VCE(off)와 IC(sat)의 중앙에 위치하여야만 신호가 들어오지 않은 준비상태에서 동작점이 중앙에 위치할 수 있게 되
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→ +100uA
IB가 100uA일 때 IC가 2mA라 가정하면…
컬렉터 전류 : 2mA → 3mA → 2mA → 1mA → 2mA
VC = VCC - VRL
VRL = ICRL
* 바이어스 방법과 안정화
*이미터 바이패스 캐패시터
* 위상관계
3) 시뮬레이션 결과 1)실험 목적
2)관련 이론
3)시뮬레이션 결과
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of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
[전기 전자 통신공학도를 위한 기초회로실험]
강경인 저ㅣ문은당
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순방향바이어스하기 위해 필요한 전압은 이제 두 실리콘 다이오드의 전압 강라에 의해 공급되어 두 실리콘 다이오드가 순방향 바이어스 된다.
출력 전압이 입력전압과 거의 같아 전압이득이 같다. 1. 실험 목적
2. 회로도
3. 결론
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회로
그림 3-2
Q2N3904
VB
VE
VC
VCE
IE(mA)
IC(mA)
IB(μA)
β
결과값
3.29V
2.59V
13.17V
10.58V
3.82
3.79
22.10
171
.49
Reference
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[위키피디아 지식백과]
http://e
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