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회로의 트랜지스터에서 β가 증가한다면 VB는?
(a) 감소한다. (b) 증가한다.
(c) 근본적으로는 그대로 유지된다.
⇒ VB=Vcc×R2/(R1+R2)에서 VB값은 전혀 β의 영향을 안 받는 것을 알 수 있다 그러므로 트랜지스터의 β의 감소나 증가로 인해서 VB값은 영
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회로를 구성한다. 그림 7-4 회로의 특징은 다음과 같다.
공통 에미터 저항은 역전압을 올릴 것이다. 또한 두 트랜지스터의 다른 포화전류로 인하여 역은 출력이 포화되었을 때와 출력이 차단되었을 때가 다르게 될 것이다.
※ 전자회로실험 P.54
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회로 구성 시 요구되는 부품이 매우 적다는 장점을 가지고 있다.
※ 전자회로 실험 P.60 그림 8-1 (바이폴라 트랜지스터에 대한 바이어스 형태)
3. 공식
베이스 바이어스
(1)
(2)
(3)
에미터 바이어스
(1)
만약, 이면,
(2)
(3)
(4)
전압분배 바이어
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실험에 사용한 트랜지스터의 특성을 data book에서 찾아서 실험결과와 일치하는지 확인 하라.
-2N2907A pnp형
= -60V = -60V =-600 = 400 = 300 = 300ns
-2N2222A npn형
= 40V = 75V = 800 = 500 = 0 = 250ns
참고 문헌: 네이버/구글 검색엔진 & 전자회로 7판 전자회로실험
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트랜지스터 베이스에 입력 직류 전류는 변화되고, 베이스 전류의 변화는 컬렉터 전류를 변화시키므로, 트랜지스터 전류 이득에 비례하여 입력 전류가 증폭된다.
트랜지스터 이미터 공통회로의 선형동작영역 실험결과 (표 6-1~표 6-4)에서 구
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실험은 공통 컬렉터 증폭기이다.
여기서는 크게 이론치와 측정치가 크게 다를 바 없음을 볼 수 있다. 한가지 주목할 사항은 그 전압이득이 약1이라는 것이다. 하지만 이 실험으로 제대로 공통 컬렉터 증폭기의 특성을 알 아 볼 수는 없다. 왜냐
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회로에 공급되는 전원에서 소비되는 것으로 본다면, 증폭이란 것이 바로 주어진 DC 전원의 전력을 변조하여 얻는 것이며 여기서 흘러나가는 전류는 전원공급라인에서 얻어지는 것이다.
- NPN일 때 컬렉터에는 주어진 전원 에너지가 베이스에
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54 [V]
8.201 [V]
9.427 [V]
9.583 [V]
9.746 [V]
① (= 100으로 가정)
②
③
④
⑤
실 험 결 과
<표 6-3> 전압분배기 바이어스회로 실험결과 기록표
측 정 량
측 정 값
이 론 값
트랜지스터
트랜지스터
1.932 [V]
2.05 [V]
1.254 [V]
1.35 [V]
2.67 [mA]
2.87 [mA]
5.3 [V
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1. 실험목적
트랜지스터의 NPN형과 PNP형에 대해서 관찰하고 실험 할 수 있도록 한다.
2. 실험기구
저항계, NPN 트랜지스터, PNP 트랜지스터
3. 실험이론
- 반도체 트랜지스터(Transistor)가 작동하기 위해서 순서를 따라 진행한다. NPN 의 동작 순
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트랜지스터의 동작 및 기능
-트랜지스터는 기본적으로 전류를 증폭할 수 있는 부품. 디지털 회로에서는 ON 또는 OFF의 신호만 받기 때문에 트랜지스터의 증폭 특성의 차이는 문제가 되지 않는다. 회로 기능은 대부분이 IC로 처리하는 경우가 많
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