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실험값
5.238
5.238
5.238
mA
측정값
5.2847
5.2849
5.2817
오차
0.0467
0.0469
0.0437
오차율
0.892%
0.895%
0.834%
R1
R2
R3
단위
모의실험값
0.524
1.047
1.729
V
측정값
0.52036
1.05109
1.72654
오차
-0.00364
0.00409
-0.00246
오차율
-0.695%
0.391%
-0.142%
<전압>
<회로 2> 최대허용
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실험회로 4
1>
W
X
Y
Z
F
clock
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
1
0
1
0
1
1
0
0
1
1
1
bar { W }
2>
그림 4_1
F=( bar { W } + bar { X) } CDOT (Y CDOT Z)
= bar { W } CDOT Y CDOT Z+ bar { X } CDOT Y CDOT Z
그림 4_2
그림 4_3
부울대수 중에서 매우 중요한 법칙중의 하나인 드모르
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실험으로 직병렬 회로에서 전체 등가저항을 구하는 방법에 대해 배울수 있는 좋은 기회였다. 1. 실험 결과
표 5-1. 저항기의 저항값 측정
표 5-2. 같은 저항값을 저항기의 직병렬 연결
표 5-3. 서로 다른 저항기의 직병렬 연결
표 5-4. 직-병
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회로가 나오면 뭐가 더 큰지 일일이 계산을 했어야 했는데 이번 실험을 통해서 그 사실을 눈으로 확인을 해서 더욱더 기억에 남을거 같다. 1. 실험 결과
표 8-1. 직렬저항회로의 소비전력 계산
표8-2. 직병렬 저항회로의 소비전력 계산
2.
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불평형 상태에서 받는 충격을 다소 방지하게 된다. 전기전자기초실험 결과 레포트
2. 전기회로 기본원리 II
▶▶ 테브난, 노턴 등가회로
※ 실험결과
▶▶ 최대 전력 전달 조건
※ 실험결과
▶▶ 평형 브릿지 회로
※ 실험결과
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실험 환경을 고려해 볼 때 이것은 실험상 허용 가능한 오차로 봐도 될 것 같다. 이로서 실험을 통하여 RC회로를 이해하였고, 차단주파수를 알 수 있었으며, 이를 위해서 함수발생기와 오실로스코프등의 실험 장비 사용법을 습득할 수 있었다.&n
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사용이유를 실험한 적이 있는데 BUFFER는 일반적으로 신호의 증폭이나 BOUNCE 현상을 제거하기 위해 쓰인다. 따라서 위 회로에 쓰인 CMOS BUFFER또한 같은 이유이다. CMOS는 TTL에 비해 동적 안전성이 부족하다. 이 점을 보완하기 위한 것이다.
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전자파 내성(EMS : Electro Magnetic Susceptibility)또는 전자파 방해에 대한 내성의 적절한 균형이라고 할 수 있다.
4) 특정한 주파수만을 선택할 수 있는 회로 구성은 어떻게 만들 수 있는지를 LPF와 HPF 개념으로 설명해 보라.
실험 4의 잡음제거회로에
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실험이었다. 실험데이터하고 이론식과 실험식에 그 값들을 적용하여 Matlab을 이용한 그래프를 만들고 정리하는 파트를 맡게 되었다. 우선 Bread board에 RC 회로와 CR 회로를 만들고 디지털 오실로스코프에 연결하여 각각의 회로에서 Sine Wave 와 Squ
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실험을 하는 도중 다이오드를 연결한 브릿지나 회로를 잘못 구성하여 생긴 실수라고 볼 수 있다. 이 때문에 실험결과치가 이론으로 배웠던 값과 다르게 나온 것을 볼 수 있다.
6. 참고
<김상배 저, 개정판 기초전기전자실험, 홍릉과학출판사&
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