|
실험을 하면서 RLC회로의 전반적인 이론과 더불어 실험에 많은 도움을 주신 김성열 조교분께 감사의 말을 전합니다. 수고하셨습니다. □ 실험 과정
□ 실험 결과
□ 실험 과정
□ 실험 결과
□ 실험 과정
□ 공진 주파수
□ 실
|
|
|
보기:
1) 구리 도선 속의 자유전자 : 무질서 열운동 ⇒ 방향 상쇄
2) 물의 흐름 : 음․양전하가 똑같이 흘러감 ⇒ 부호 상쇄
전류의 방향
양전하의 흐름 방향.
중략... 1.목적
2.내용(이론)
-전압
-전류
-저항
-전력
-옴의법칙
|
|
|
전자회로/ / 신화전산기획 / p4-1 ~4-15
최신 디지털 전자회로/ 양태진 / 동일출판사 / p181~197
반도체회로/ / 성안당 / p228~249 , p256~271 1)실험제목
2)목적
3)이론
* 트랜지스터의 구분
* FET의 구분
* BJT와 FET의 비교로 보는 특징 및 장점,단점
|
|
|
전자공학 3판』, 문선당, 2011, pp. 223-238. 1. 개요
1.1. 목적
2. 시스템 구성
2.1. 과제1
2.1.1. schematic 및 설정
2.1.2. simulation 결과-(L=0.2mH, C=30uF)
2.1.3. simulation 결과-(L=0.3mH, C=17.36uF)
2.1.4. simulation 결과-(L=0.1mH, C=52.08uF)
2.1.5. 이론값 및 결과분석
|
|
|
회로에서 , , , PIV, , ％리플을 계산하여라.
3.2 아래의 회로에서 , , , PIV, , ％리플을 계산하여라.
4. 참고문헌
전자통신연구회 편, 『전자통신기초실험』, 도서출판 상학당, 2009, pp183-187. 1. 실험 결과
2. 검토사항
3. 연습문제
4. 참고문
|
|
|
실험을 통해 어떤 입력을 주었을 때 출력으로 원하는 신호레벨을 정할 수 있는 클리퍼나 클램퍼에 대해 배웠다. 다이오드, 저항, 바이어스 전원의 배치에 따라 각각 다른 레벨을 제한할 수 있다. 실험에서 구성했던 회로들 말고도 소자를 다르
|
|
|
실험의 경우는 RLC회로에서 각 R, L, C에 걸리는 전압을 측정하여 R, L, C 값을 알아내는 실험이었다. 주파수를 일정하게 유지시키면서 전압을 변화시키고, 그 때 걸리는 전압을 가지고 그래프를 그리고 그 그래프의 기울기를 알아내면 R, L, C 값을
|
|
|
난 오차 들이 모여서 결국 이론값과 다른 측정값으로 나타나는 것이고 오차를 줄이기 위해서는 각 기계의 오류나 장비의 상태를 확인해야 할 것이다. 1. 실험 실습
2. 실험방법
3. Data 분석(이론 값과 실험 값이 차이가 나는 이유)
|
|
|
실험을 진행하였습니다.
처음으로 반전 증폭기에 대한 실험을 하였습니다. 먼저 예상되는 전압이득값을 구하고 다음으로 측정한 값과 비교해 보았습 형 연산 증폭기 회로
실험 순서
1. 반전 증폭기
2. 비반전 증폭기
3. 단위이득 플로
|
|
|
회로의 동작점을 결정.
공핍형 MOSFET의 Zero바이어스 회로의 동작점을 결정.
증가형 MOSFET의 Drain 궤환 바이어스 회로의 동작점을 결정.
바이어스 동작점의 안정성을 이해.
FET (전계 효과 트랜지스터)
FET는 전자 전류와 정공 전류를 이용하는 B
|
|
메뉴펼치기
