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4. 각각의 VGS에 대해 X축을 VDS, Y축은 ID를 갖는 그래프를 그린 후 λ, r0를 계산한다. ① 전계-효과 트랜지스터(FET)
② 전류 전도를 위한 채널의 형성
③ MOSFET의 동작 영역
⑤ 포화 영역에서의 동작
① Vt 측정
② NMOS의 I-V 특성 곡선
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실험의 경우 시뮬레이션 결과에서 도출할 수 있는 AV값이 1 이하가 나왔다. 이는, 증폭기의 설계 의도에 맞지 않는 결과이다. (출력 전압이 입력 전압에 비해 오히려 적으므로) 대체한 MOSFET의 문제인지, 회로 설계의 문제인지 등의 원인 발견을
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P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
시뮬레이션 결과 )
JFET 공통 게이트 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
시뮬레이션 결과 ) 1. 목적
2. 이론
3. JFET 공통 드레인 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
4. 시뮬레이션 결과
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를 간단하게 측정하는 방법은 [그림 6-6(b)]와 같이 VDS 가 매우 작은 값을 갖을 때 ID 를 VGS의 함수로 나타낸 Graph를 이용하는 것이다. 즉, (식 6-6)과 같이 표현된 것 처럼 ID versus VGS plot에서 X-axis와 만나는 지점이 VT가 된다.
MOSFET의 특성을 나타내
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실험이었다.
MOSFET는 Metal - Oxide - silicon field - effect transistor(금속 -산화물 - 반도체 전라 접합 트랜지스터)로써, MOSFET는 특히 단일 실리콘에 제조되는 회로인 집적 회로의 설계에 가장 널리 사용되는 전자 소자이다. 실험에서는 VDS를 10V로 고정시
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주파수 를 측정해보니 =83.586Hz가 나오고 =1.3914MHz가 나왔다. 이를 통해 대역폭을 계산하면 약 1.3913MHz가 나온다. 전자회로실험 예비보고서
9장. MOSFET 증폭기 회로
1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
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MOSFET의 문턱전압 이 된다.
실험결과와 그 데이터의 분석 방법을 개략적으로 보이면 <그림 8.3>과 같다.
회로 구성
< Plot vs >
- 처음 값이 +5V일 때, 값은 3.5679kΩ이다.
- 처음 측정한 값이 약 2배가 될 때의 전압 값은 3.75V이다.
- 문턱전압
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MOSFET 공통 소스 증폭기에 대한 실험이었다. 저항을 부하로 사용하는 공통 소스 증폭기도 있지만, 우리는 전류 소스를 부하로 사용한 증폭기에 대한 실험만 임하였다.
- 실험 순서 1)은 공통 소스 증폭기 회로를 구성하는 것이었다. 회로를 구
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실험과 마찬가지로 예상했던 결과와는 약간 차이가 있었음을 알 수 있다. MOSFET의 특성상 열에 약해서인지 예상했던 결과에서 약간 벗어난 측정 결과를 얻은 것 같다.
2.3 소스 접지 증폭기
2.3.1 실험 회로도
PSPICE 회로도
브레드 보드 구성
2.3.2
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전자공학 > 반도체 > 트랜지스터 > FET]
http://www.ktword.co.kr/word/abbr_view.php?m_temp1=4235&id=1341&nav=2&m_search=FET%EB%B0%94%EC%9D%B4%EC%96%B4%EC%8A%A4
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출
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