|
실험에 사용한 트랜지스터의 특성을 data book에서 찾아서 실험결과와 일치하는지 확인 하라.
-2N2907A pnp형
= -60V = -60V =-600 = 400 = 300 = 300ns
-2N2222A npn형
= 40V = 75V = 800 = 500 = 0 = 250ns
참고 문헌: 네이버/구글 검색엔진 & 전자회로 7판 전자회로실험
|
|
|
실험은 NMOS 증폭기에 대한 실험이었다.
NMOS 증폭기의 공통-소스 증폭기, 공통 - 게이트 증폭기, 공통 - 드레인 증폭기의 특성에 대한 입,출력 전압 파형 측정 및 입력 저항과 출력 저항을
측정 하는 실험 이었다.
실험 할 당시에 회로를 꾸미고
|
|
|
표지 양식
년도-학기
2020 년 2학기
과목명
전자회로실험
LAB번호
제목
1
반파 및 전파 정류 회로 실험
실험 일자
2020년 9월 25일
제출자 이름
제출자 학번
Chapter 1. 관련 이론
1) 정류
교류전류를 직류전류로 변환하는 것을 정류라고 한다. 일반적으
|
|
|
전자회로기초및응용, 상학당, 남상엽 외2명, 06년7월1일, 271p~273p
②전자통신기초실험, 상학당, 전자통신연구회, 06년8월25일, 165p~173p
③전자회로실험, 청문각, 김경태 외1명, 03년1월15일, 156p~157p
④전자회로실험, 내하출판사, 김현후 외1명, 05년2
|
|
|
실험은 일반적으로 많이 사용하는 UA741 OP-AMP의 내부회로를 직접 설계하여, 설계된 회로가 제대로 동작하는 지를 실험적으로 확인하는 것이다. OP-AMP의 내부에는, 지금껏 전자회로를 통해 배운 갖가지 기술들이 집약적으로 들어가 있는 것을 알
|
|
|
모든 값에 대하여 실험절차 13, 14를 반복한다.
6. 참고문헌
· 네이버 지식in
· 전자회로(malvino)
· 기초전자회로실험 (인터비젼) 1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 장비 및 재료
4. 실험에 필요한 기본 지식
5. 실험절차 및 예상
6. 참고문헌
|
|
|
회로도를 분석하면 Vout이 +단자와 연결되어 있는 C1,R1와 C2,R2에 의해 분배가 되어 다시 +단자로 들어가 비반전 증폭기의 원리로 다시 Vout이 된다. 계속해서 이 과정을 반복하게 된다. 고급전자회로실험 텀프로젝트(함수발생기) 발표자료
|
|
|
실험 내용
- PSpice를 이용한 회로 시뮬레이션
- RC, RL 직렬 및 병렬회로
- 노턴의 정리
- 미분회로와 적분회로
- 옴의 법칙
- 인덕터
- 전압 배율기와 전류 분류기
- 중첩의 원리
- 직렬과 병렬
- 최대전력 전달조건
- 커패시터
- 키
|
|
|
사용하여 Si의 DC 저항치를 계산하라.
4) DC저항
5) 점화 전위 1. 사전지식
1) 다이오드 전류
2) 다이오드
2. 실험절차
1) 점화 전위
2) DC저항
3) 역방향 바이어스
4) 순방향 바이어스 다이오드 특성
5) 다이오드 테스트
3. 분석 및 토의
|
|
|
BJT와 같이 접합 전계효과 트랜지스터(JFET)은 차단, 포화, 선형의 세 가지 영역에서 동작한다. JFET의 물리적 특성과 JFET에 연결된 외부회로가 동작 영역을 결정한다. 이 실험에서는 JFET의 주어진 회로 규격들에 부합하여 선형 영역에서 동작하도
|
|
메뉴펼치기
