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회로에서 β값이 170에서 150으로 변한다 하더라도 IC의 값이 증가되고 감소되는 문제이지 IB의 값은 거의 변함이 없을 것이라 생각해 보았고, 그러므로 앞에서 구한 25.53uA와 거의 같을 것이라고 생각해 보았다.
2. 그림 1에서 트랜지스터의 β가
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에 따라 변한다 (인두열을 가했을 때 변화했음)
▶바이어스점은 βdc의 변화뿐아니라 VBE, IBo의 변화에의해서도 영향을 받는다.
▶베이스 바이어스회로의 배열은 Q점이 βDC에 따라 크게 변화하므로 안정도가 나쁘다.
▶베이스바이어스의 장점은
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회로 구성 시 요구되는 부품이 매우 적다는 장점을 가지고 있다.
※ 전자회로 실험 P.60 그림 8-1 (바이폴라 트랜지스터에 대한 바이어스 형태)
3. 공식
베이스 바이어스
(1)
(2)
(3)
에미터 바이어스
(1)
만약, 이면,
(2)
(3)
(4)
전압분배 바이어
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전자회로(I) ,정동명교수님저,인터비전
○전자회로, ALBERT PAUL MALVINO 저
○GOOGLE 검색을통한사진자료
○전자회로강의자료참고. 1.BJT(Bipolar Junction Transistor) 쌍극성(양방향) 접합 트랜지스터BJT 동작 원리
2..FET(Field Effect Transistor)
3..BJT와 FET
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[전자회로설계 결과보고서][실험 05] 트랜지스터 바이어스 회로
목차
1. 관련 이론
(1) 바이폴라 접합 트랜지스터 BJT
(2) 고정 베이스 바이어스
(3) 이미터 귀환 바이어스
(4) 전압 분배 바이어스
(5) 컬렉터 귀환 바이어스
(6) 이미터
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