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전자기초실험 예비 레포트
전기회로 기본원리 II
학과
학년
학번
분반
실험조
성명
전기전자공학
2
▶▶ 테브난, 노턴 등가회로
① 테브난 및 노턴의 정리를 자세히 정리한다.
- 테브난, 노턴 정리란 모든 회로망을 임의
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레포트
- 전압, 전류, 저항에 관한 기본(옴의 법칙)
- 직류와 교류
- 트랜스의 작동원리
- 전해콘텐서, 세라믹 콘덴서, 다이오드, 레귤레이터 기능, 종류, 사용방법
- Bread board, 오실로스코프, 테스터 기능 및 사용방법
4. 결과레포트
- 실험
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전자공학의 큰 두 개의 부류를
확실히 이해할 수 있다고 생각된다.
■ 소요장비 및 재료
오실로스코프 와 그외
probe
전구 다마 ■ 실험실습 프로그램
■ 학습 목표
■ 학습자 분석
■ 주별 학습단원 및 학습목표
■ 실험실습 제목
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실험에 임하기 전에 공학도이기 때문에 당연히 음역대가 높아질수록 주파수도 상승할 것이라는 것을 알 수 있었고 예비 레포트를 작성하면서도 또 한번 알 수 있었으며 결과 데이터를 보아도 음이 높아질수록 주파수대역 또한 상승하였다.
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p://dwseo.ddc.ac.kr/elec-circuit/elect-circuit-chap3.PDF
http://www.sewoon.com/elect_data/information/diode.html
http://ko.wikipedia.org/wiki/%EC%A0%9C%EB%84%88_%EB%8B%A4%EC%9D%B4%EC%98%A4%EB%93%9C 실험목적
실험장비
장비설명
Refer-ence
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실험 결론
<문턱전압>
- 이상적인 다이오드를 이용한 결과와 실제 실리콘 다이오드를 사용하는 결과는 차이를 보인다.
<반파정류>
반파정류는 파형의 반주기만을 정류하여 출력한다
양전압일 때 입력전압에서 다이오드에 걸린 전압
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실험 결론
3주차 실험을 통해 직렬과 병렬로 구성된 다이오드 회로를 해석하고 이해하는 방법을 알 수 있었으며
직렬 및 병렬 회로에서 더 나아가 AND 게이트와 브리지로 구성된 회로의 해석방법을 익힐 수 있었다.
외부 영향으로 계산 값과
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실험에서 살펴본 두 회로에서 2N3904 트랜지스터를 2N4401 트랜지스터로 교체할 때 동작점(컬렉터 특성곡선 상의 와 에 의해 정의) 위치는 어떻게 변하는가? 즉, β값이 큰 트랜지스터로 교체될 때 동작점 위치가 어떻게 이동하는가? 특히 Q점이 포
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실험결론
< 클리퍼회로 >
- 클리퍼는 입력되는 파형의 특정레벨 이상이나 이하의 파형을 출력하기 위해 사용한다.
- 클리퍼 회로로 교류 파형의 일부를 자르고 남은 부분을 왜곡 없이 나타낼 수 있다.
회로에 가해주는 직류전압(E)는 다이
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실험결과
1. 역방향 바이어스회로에서 Si 다이오드와 Ge 다이오드의 차이를 알아봄으로써 Si 다이오드가 Ge 다이오드보다 역방향에서 저항값이 충분히 커 개방회로와 근접하다.
2. 다이오드의 순방향 바이오스에서 저항값이 낮으며 문턱전압을
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